[發(fā)明專利]一種顯示面板的制作方法和顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811230471.6 | 申請日: | 2018-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN109585297A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊鳳云;卓恩宗 | 申請(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/336 | 分類號: | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢濤 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示面板 氧化物膜層 蝕刻 第一金屬層 緩沖層 漏極層 源極層 柵極層 制作 透明電極層 柵極絕緣層 緩沖材料 曝光顯影 鈍化層 氧化物 產(chǎn)能 光罩 基板 沉積 金屬 節(jié)約 | ||
本發(fā)明公開了一種顯示面板的制作方法和顯示面板。一種顯示面板的制作方法,包括:在基板上依次沉積一層金屬、緩沖材料和氧化物;通過同一道光罩蝕刻形成第一金屬層、緩沖層和氧化物膜層;在所述氧化物膜層上形成柵極絕緣層、柵極層、源極層和漏極層;在柵極層、源極層和漏極層的上方依次形成鈍化層和透明電極層。本發(fā)明由于通過同一道光罩蝕刻形成第一金屬層、緩沖層和氧化物膜層,因而至少減少了一道光罩,節(jié)省了曝光顯影時間,達(dá)到節(jié)約成本及提升產(chǎn)能的目的。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示面板的制作方法和顯示面板。
背景技術(shù)
隨著科技的發(fā)展和進(jìn)步,液晶顯示器由于具備機身薄、省電和輻射低等熱點而成為顯示器的主流產(chǎn)品,得到了廣泛應(yīng)用。現(xiàn)有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器,其包括液晶面板及背光模組(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子,并在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動電壓來控制液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向,以將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
目前IGZO(銦鎵鋅氧化物)技術(shù)已得到廣泛的研究及應(yīng)用,常見的IGZO結(jié)構(gòu)有三種,BCE(back channel etch,背溝道刻蝕)結(jié)構(gòu),ESL(etch stopper layer,刻蝕阻擋層)結(jié)構(gòu),Self-aligned Top Gate(自對準(zhǔn)的頂柵)結(jié)構(gòu),其中,BCE結(jié)構(gòu)因是背溝道蝕刻,會產(chǎn)生背溝道損壞,影響TFT器件穩(wěn)定性,ESL結(jié)構(gòu)可以對背溝道進(jìn)行保護(hù),但不適合做短溝道結(jié)構(gòu),并且有較大的寄生電容,頂柵型可以做短溝道結(jié)構(gòu)并且有極小的寄生電容,但光罩會多一道。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述問題,本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種減少光罩的顯示面板的制作方法和顯示面板。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種顯示面板的制作方法,包括:
在基板上依次沉積一層金屬、緩沖材料和氧化物;
通過同一道光罩蝕刻形成第一金屬層、緩沖層和氧化物膜層;
在所述氧化物膜層上形成柵極絕緣層、柵極層、源極層和漏極層;
在柵極層、源極層和漏極層的上方依次形成鈍化層和透明電極層。
可選的,所述在所述氧化物膜層上形成柵極絕緣層、柵極層、源極層和漏極層的步驟包括:
在所述氧化物膜層上通過半色調(diào)掩膜形成包括中部、第一側(cè)部、第二側(cè)部以及鏤空部的柵極絕緣層;
所述柵極絕緣層的中部的厚度厚于第一側(cè)部的厚度,所述柵極絕緣層的中部的厚度高于第二側(cè)部的厚度;
所述鏤空部形成在中部和第一側(cè)部,以及中部和第二側(cè)部之間;
在所述柵極絕緣層上金屬濺渡形成第二層金屬,并通過同一道光罩制程對第二層金屬進(jìn)行蝕刻得到柵極層、源極層和漏極層;
形成的所述源極層和漏極層通過所述氧化物膜層連接。
可選的,所述在所述氧化物膜層上形成柵極絕緣層、柵極層、源極層和漏極層的步驟包括:
在氧化物膜層上沉積形成柵極絕緣沉積層,并在柵極絕緣沉積層上沉積形成柵極金屬層;
通過一道光罩制程對柵極絕緣沉積層和柵極金屬層進(jìn)行蝕刻,形成柵極絕緣層和柵極層;
在氧化物膜層上通過一道光罩形成包括中部、第一側(cè)部、第二側(cè)部以及鏤空部的互聯(lián)層;
在互聯(lián)層的上方形成第二層金屬,并對第二層金屬進(jìn)行蝕刻得到漏極層和源極層;
所述鏤空部形成在中部和第一側(cè)部,以及中部和第二側(cè)部之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





