[發(fā)明專利]圖案化的金屬膜層、薄膜晶體管、顯示基板的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811230086.1
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN109378271B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方金鋼;丁錄科;劉軍;李偉;張揚(yáng);程磊磊;王東方
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明提供一種圖案化的金屬膜層、薄膜晶體管、顯示基板的制備方法，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的圖案化的金屬膜層的制備方法，包括：在基底上依次沉積金屬材料和光刻膠材料，并對光刻膠材料進(jìn)行曝光，形成光刻膠保留區(qū)和光刻膠未保留區(qū)，去除光刻膠未保留區(qū)的光刻膠材料，形成位于光刻膠保留區(qū)的圖案化的光刻膠；對完成上述步驟的基底上的金屬材料進(jìn)行刻蝕，去除位于光刻膠保留區(qū)的邊緣區(qū)域和位于光刻膠未保留區(qū)的第一厚度的金屬材料；對圖案化的光刻膠進(jìn)行處理，以使位于光刻膠保留區(qū)的中間區(qū)域的金屬材料的邊緣與剩余的圖案化的光刻膠分離；刻蝕去除基底上剩余的、且與剩余的圖案化的光刻膠未接觸的金屬材料，以形成圖案化的金屬膜層。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種圖案化的金屬膜層、薄膜晶體管、顯示基板的制備方法。

背景技術(shù)

顯示基板中的無機(jī)絕緣層可選用氮化硅、氧化硅等材料。其中，由于氮化硅容易導(dǎo)致顯示基板出現(xiàn)色偏現(xiàn)象，故通常采用二氧化硅(SiO2)作為無機(jī)絕緣層材料。在保證開口率的情況下，為減小線電阻和壓降，在選擇顯示基板中的電極材料時(shí)，為了保證顯示基板的開口率，并減小線電阻和壓降，一般選擇導(dǎo)電率比較高的銅(Cu)。

在金屬層上方形成無機(jī)絕緣層時(shí)，由于銅的刻蝕坡度角比較大，易出現(xiàn)SiO2膜層邊緣部分膜層過薄或者膜質(zhì)較差的情況，導(dǎo)致在后續(xù)多次高溫工藝時(shí)出現(xiàn)銅擴(kuò)散的發(fā)生，或者容易使柵極與源漏電極之間容易出現(xiàn)短路，使顯示基板的良率降低。

在實(shí)際的制備工藝過程中，由于光刻膠與Cu的粘附性好，頂部的Cu不易被刻蝕，刻蝕坡度較大。現(xiàn)有技術(shù)中一般依靠開發(fā)新的Cu刻蝕液來改善刻蝕坡度，此方法主要依賴刻蝕液廠商，開發(fā)周期長，會增加生產(chǎn)成本和降低生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提供一種能夠減小金屬膜層刻蝕坡度角的圖案化的金屬膜層的制備方法。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種圖案化的金屬膜層的制備方法，包括：

在基底上依次沉積金屬材料和光刻膠材料，并對所述光刻膠材料進(jìn)行曝光，形成光刻膠保留區(qū)和光刻膠未保留區(qū)，去除所述光刻膠未保留區(qū)的光刻膠材料，形成位于光刻膠保留區(qū)的圖案化的光刻膠；

對完成上述步驟的所述基底上的金屬材料進(jìn)行刻蝕，去除位于所述光刻膠保留區(qū)的邊緣區(qū)域和位于所述光刻膠未保留區(qū)的第一厚度的金屬材料；

對所述圖案化的光刻膠進(jìn)行處理，以使位于所述光刻膠保留區(qū)的中間區(qū)域的金屬材料的邊緣與剩余的圖案化的光刻膠分離；

刻蝕去除所述基底上剩余的、且與所述剩余的圖案化的光刻膠未接觸的金屬材料，以形成圖案化的金屬膜層。

優(yōu)選的，所述對所述圖案化的光刻膠進(jìn)行處理以使位于所述光刻膠保留區(qū)的中間區(qū)域的金屬材料的邊緣與剩余的圖案化的光刻膠分離的步驟具體包括：

將所述圖案化的光刻膠在預(yù)制顯影液中放置預(yù)設(shè)時(shí)間，以使所述預(yù)制顯影液腐蝕去除部分所述圖案化的光刻膠，且位于所述光刻膠保留區(qū)的中間區(qū)域的金屬材料的邊緣與剩余的圖案化的光刻膠分離；其中，所述預(yù)制顯影液不會與所述金屬材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述預(yù)制顯影液為堿性顯影液。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述堿性顯影液包括四甲基氫氧化銨或者氫氧化鉀。

優(yōu)選的，所述對完成上述步驟的所述基底上的金屬材料進(jìn)行刻蝕，去除位于所述光刻膠未保留區(qū)和所述光刻膠保留區(qū)的邊緣區(qū)域的第一厚度的金屬材料的步驟包括：

通過濕法刻蝕工藝去除位于所述光刻膠未保留區(qū)和所述光刻膠保留區(qū)的邊緣區(qū)域的第一厚度的金屬材料。

優(yōu)選的，所述刻蝕去除所述基底上剩余的、且與所述剩余的圖案化的光刻膠未接觸的金屬材料，以形成圖案化的金屬膜層的步驟包括：