[發(fā)明專利]圖案化的金屬膜層、薄膜晶體管、顯示基板的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811230086.1
• 申請(qǐng)日: 2018-10-22
• 公開（公告）號(hào): CN109378271B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方金鋼;丁錄科;劉軍;李偉;張揚(yáng);程磊磊;王東方
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

1.一種圖案化的金屬膜層的制備方法，其特征在于，包括：

在基底上依次沉積金屬材料和光刻膠材料，并對(duì)所述光刻膠材料進(jìn)行曝光，形成光刻膠保留區(qū)和光刻膠未保留區(qū)，去除所述光刻膠未保留區(qū)的光刻膠材料，形成位于光刻膠保留區(qū)的圖案化的光刻膠；

對(duì)完成上述步驟的所述基底上的金屬材料進(jìn)行刻蝕，去除位于所述光刻膠保留區(qū)的邊緣區(qū)域和位于所述光刻膠未保留區(qū)的第一厚度的金屬材料；

對(duì)所述圖案化的光刻膠進(jìn)行處理，以使位于所述光刻膠保留區(qū)的中間區(qū)域的金屬材料的邊緣與剩余的圖案化的光刻膠分離；

刻蝕去除所述基底上剩余的、且與所述剩余的圖案化的光刻膠未接觸的金屬材料，以形成圖案化的金屬膜層；

所述對(duì)所述圖案化的光刻膠進(jìn)行處理以使位于所述光刻膠保留區(qū)的中間區(qū)域的金屬材料的邊緣與剩余的圖案化的光刻膠分離的步驟具體包括：

將所述圖案化的光刻膠在預(yù)制顯影液中放置預(yù)設(shè)時(shí)間，以使所述預(yù)制顯影液腐蝕去除部分所述圖案化的光刻膠，且位于所述光刻膠保留區(qū)的中間區(qū)域的金屬材料的邊緣與剩余的圖案化的光刻膠分離；其中，所述預(yù)制顯影液不會(huì)與所述金屬材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化的金屬膜層的制備方法，其特征在于，所述預(yù)制顯影液為堿性顯影液。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖案化的金屬膜層的制備方法，其特征在于，所述堿性顯影液包括四甲基氫氧化銨或者氫氧化鉀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化的金屬膜層的制備方法，其特征在于，所述對(duì)完成上述步驟的所述基底上的金屬材料進(jìn)行刻蝕，去除位于所述光刻膠未保留區(qū)和所述光刻膠保留區(qū)的邊緣區(qū)域的第一厚度的金屬材料的步驟包括：

通過(guò)濕法刻蝕工藝去除位于所述光刻膠未保留區(qū)和所述光刻膠保留區(qū)的邊緣區(qū)域的第一厚度的金屬材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化的金屬膜層的制備方法，其特征在于，所述刻蝕去除所述基底上剩余的、且與所述剩余的圖案化的光刻膠未接觸的金屬材料，以形成圖案化的金屬膜層的步驟包括：

通過(guò)濕法刻蝕工藝去除所述基底上剩余的、且與所述剩余的圖案化的光刻膠未接觸的金屬材料，以形成圖案化的金屬膜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化的金屬膜層的制備方法，其特征在于，在基底上形成所述金屬材料的步驟具體包括：

通過(guò)濺射工藝在基底上沉積形成金屬材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化的金屬膜層的制備方法，其特征在于，所述金屬材料包括銅和/或鋁。

8.一種薄膜晶體管的制備方法，包括形成柵極，以及源、漏極的步驟，其特征在于，

形成所述柵極的步驟包括權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的圖案化的金屬膜層的制備方法；

和/或，形成所述源、漏極的步驟包括權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的圖案化的金屬膜層的制備方法。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，

在形成柵極的步驟之后，還包括形成層間絕緣層的步驟；

在形成源、漏極的步驟之后，還包括形成鈍化層的步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，

所述層間絕緣層的材料包括二氧化硅；

所述鈍化層的材料包括二氧化硅。

11.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，包括：

權(quán)利要求8-10中任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制備方法。