[發(fā)明專利]原位清洗裝置和半導體處理設(shè)備

在審

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• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN111069192A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 丁安邦;史小平;陳鵬;蘭云峰
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: B08B9/027
• 分類號: B08B9/027;B08B9/032;B08B7/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明公開了一種原位清洗裝置和半導體處理設(shè)備。包括等離子體產(chǎn)生組件以及依次串接設(shè)置在排氣管道上的第一開關(guān)件和介質(zhì)筒，其中，所述開關(guān)件用于控制所述介質(zhì)筒與所述排氣管道的通斷；所述等離子體產(chǎn)生組件能夠激發(fā)位于所述介質(zhì)筒內(nèi)的清洗氣體產(chǎn)生清洗等離子體，以利用所述清洗等離子體對所述排氣管道進行原位清洗。本發(fā)明的原位清洗裝置，無需拆卸排氣管道，只需要定期進行清洗即可，防止工藝過程中兩種前驅(qū)物在排氣管道中產(chǎn)生副反應物積累，降低了抽氣泵因聚合物累積而發(fā)生卡死的風險，提高了抽氣泵運行的可靠性和壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種原位清洗裝置和一種半導體處理設(shè)備。

背景技術(shù)

單原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)技術(shù)，又稱原子層沉積技術(shù)或原子層外延(Atomic Layer Epitaxy，ALE)技術(shù)，是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。起初，由于ALD工藝沉積速度低，限制了其應用，但隨著微電子和深亞微米芯片技術(shù)的發(fā)展，要求器件和材料的尺寸不斷降低，而器件中的高寬比不斷增加，原子層沉積技術(shù)沉積速率慢的劣勢逐漸被淡化，而優(yōu)勢逐漸體現(xiàn)出來，因此，越來越受到人們的青睞。ALD工藝方法的優(yōu)勢主要包括：厚度高度可控及優(yōu)異的均勻性、優(yōu)良的臺階覆蓋率(保形性)、優(yōu)異的薄膜質(zhì)量以及低熱量消耗等。

一般地，ALD工藝過程的一個特征是多種前驅(qū)物(即前驅(qū)物)不是同時通入腔室，而是依次通入腔室，并且是在前一種前驅(qū)物停止通入并對腔室和管路進行充分的吹掃和抽氣后，才開始后一種前驅(qū)物的通入。

相關(guān)技術(shù)中，ALD設(shè)備包括工藝腔室、干泵以及連接干泵和工藝腔室的排氣管道，通過所設(shè)置的排氣管道，將多種前驅(qū)物所產(chǎn)生的聚合性副產(chǎn)物或其他顆粒雜質(zhì)經(jīng)由干泵抽走。

但是，本發(fā)明的發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，隨著工藝時間的積累，還是不可避免的在排氣管道上沉積聚合物，這樣，只能通過拆卸排氣管道，人工對沉積在排氣管道上的聚合物進行清理，浪費人力物力。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種原位清洗裝置和一種半導體處理設(shè)備。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方面，提供了一種原位清洗裝置，用于對工藝腔室的排氣管道進行原位清洗，所述排氣管道分別連接所述工藝腔室和抽氣泵，所述原位清洗裝置包括等離子體產(chǎn)生組件以及依次串接設(shè)置在所述排氣管道上的開關(guān)件和介質(zhì)筒，其中，

所述開關(guān)件用于控制所述介質(zhì)筒與所述排氣管道的通斷；

所述等離子體產(chǎn)生組件能夠激發(fā)位于所述介質(zhì)筒內(nèi)的清洗氣體產(chǎn)生清洗等離子體，以利用所述清洗等離子體對所述排氣管道進行原位清洗。

可選地，所述等離子體產(chǎn)生組件以感性耦合耦合的方式激發(fā)位于所述介質(zhì)筒內(nèi)的清洗氣體產(chǎn)生等離子體。

可選地，所述等離子體產(chǎn)生組件以容性耦合的方式激發(fā)位于所述介質(zhì)筒內(nèi)的清洗氣體產(chǎn)生等離子體。

可選地，所述等離子體產(chǎn)生組件包括射頻線圈和射頻電源，所述射頻線圈環(huán)繞在所述介質(zhì)筒外周，并且，所述射頻線圈的輸入端與所述射頻電源電連接，所述射頻線圈的輸出端接地。

可選地，所述射頻線圈的表面鍍金處理。

可選地，所述等離子體產(chǎn)生組件包括射頻電源以及位于所述介質(zhì)筒內(nèi)部且相對設(shè)置的第一電極板和第二電極板，所述第一電極板與所述射頻電源電連接，所述第二電極板接地。

可選地，所述原位清洗裝置還包括屏蔽套，所述屏蔽套套設(shè)在所述等離子體產(chǎn)生組件的外部。

可選地，所述開關(guān)件包括第一開關(guān)件和第二開關(guān)件，所述第一開關(guān)件位于所述介質(zhì)筒的頂部開口處，所述第二開關(guān)件位于所述介質(zhì)筒的底部開口處。