[發明專利]原位清洗裝置和半導體處理設備

在審

• 申請號: 201811229751.5
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN111069192A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 丁安邦;史小平;陳鵬;蘭云峰
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: B08B9/027
• 分類號: B08B9/027;B08B9/032;B08B7/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種原位清洗裝置，用于對工藝腔室的排氣管道進行原位清洗，所述排氣管道分別連接所述工藝腔室和抽氣泵，其特征在于，所述原位清洗裝置包括等離子體產生組件以及依次串接設置在所述排氣管道上的開關件和介質筒，其中，

所述開關件用于控制所述介質筒與所述排氣管道的通斷；

所述等離子體產生組件能夠激發位于所述介質筒內的清洗氣體產生清洗等離子體，以利用所述清洗等離子體對所述排氣管道進行原位清洗。

2.根據權利要求1所述的原位清洗裝置，其特征在于，所述等離子體產生組件以感性耦合的方式激發位于所述介質筒內的清洗氣體產生等離子體。

3.根據權利要求1所述的原位清洗裝置，其特征在于，所述等離子體產生組件以容性耦合的方式激發位于所述介質筒內的清洗氣體產生等離子體。

4.根據權利要求2所述的原位清洗裝置，其特征在于，所述等離子體產生組件包括射頻線圈和射頻電源，所述射頻線圈環繞在所述介質筒外周，并且，所述射頻線圈的輸入端與所述射頻電源電連接，所述射頻線圈的輸出端接地。

5.根據權利要求4所述的原位清洗裝置，其特征在于，所述射頻線圈的表面鍍金處理。

6.根據權利要求3所述的原位清洗裝置，其特征在于，所述等離子體產生組件包括射頻電源以及位于所述介質筒內部且相對設置的第一電極板和第二電極板，所述第一電極板與所述射頻電源電連接，所述第二電極板接地。

7.根據權利要1-6任意一項所述的原位清洗裝置，其特征在于，所述原位清洗裝置還包括屏蔽套，所述屏蔽套套設在所述等離子體產生組件的外部。

8.根據權利要求1-6任意一項所述的原位清洗裝置，其特征在于，所述開關件包括第一開關件和第二開關件，所述第一開關件位于所述介質筒的頂部開口處，所述第二開關件位于所述介質筒的底部開口處。

9.根據權利要求8所述的原位清洗裝置，其特征在于，所述第一開關件和所述第二開關件均呈板狀結構。

10.一種半導體處理設備，包括工藝腔室、抽氣泵以及連接所述工藝腔室和所述抽氣泵的排氣管道，其特征在于，所述半導體處理設備還包括權利要求1至9中任意一項所述的原位清洗裝置。