[發明專利]金屬-絕緣體-金屬電容器、包含其的半導體結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201811227711.7
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN110323209B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 張耀文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L21/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蔣林清

1.一種金屬-絕緣體-金屬電容器，其包括：

底部電極；

中間電極，其安置在所述底部電極上方；

頂部電極，其安置在所述中間電極上方；

第一介電質層，其夾置在所述底部電極與所述中間電極之間；及

第二介電質層，其夾置在所述中間電極與所述頂部電極之間，

其中所述底部電極的表面及所述頂部電極的表面分別包括低于0.35納米的算術平均粗糙度值及低于0.4納米的均方根粗糙度值。

2.根據權利要求1所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其中所述底部電極包括單導電層或多導電層。

3.根據權利要求2所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其中所述多導電層包括第一下層及安置在所述第一下層上的第一上層，且所述第一上層的厚度大于所述第一下層的厚度。

4.根據權利要求3所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其中所述第一上層的所述厚度對所述第一下層的所述厚度的比大于2。

5.根據權利要求1所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其中所述中間電極包括單導電層或多導電層。

6.根據權利要求5所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其中所述多導電層包括第二下層及安置在所述第二下層上的第二上層，且所述第二上層的厚度大于所述第二下層的厚度。

7.根據權利要求6所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其中所述第二上層的所述厚度對所述第二下層的所述厚度的比大于2。

8.根據權利要求1所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其中所述頂部電極包括單導電層或多導電層。

9.根據權利要求8所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其中所述多導電層包括第三下層及安置在所述第三下層上的第三上層，且所述第三上層的厚度大于所述第三下層的厚度。

10.根據權利要求9所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其中所述第三上層的所述厚度對所述第三下層的所述厚度的比大于2。

11.根據權利要求1所述的金屬-絕緣體-金屬電容器，其進一步包括導體，所述導體穿透包含所述底部電極及所述中間電極的一對、包含所述中間電極及所述頂部電極的一對或包含所述頂部電極及所述底部電極的一對。

12.一種包含金屬-絕緣體-金屬電容器的半導體結構，其包括：

襯底，其包括第一區及第二區；

第一電容器，其安置在所述第一區中且包括多個第一電極；及

第二電容器，其安置在所述第二區中且與所述第一電容器電隔離，所述第二電容器包括多個第二電極，

其中所述第一電極的部分的表面及所述第二電極的部分的表面分別包括低于0.35納米的算術平均粗糙度值及低于0.4納米的均方根粗糙度值。

13.根據權利要求12所述的半導體結構，其進一步包括安置在所述第一區中且分別電連接到所述第一電極的多個第一導體，其中所述第一電容器的所述第一電極包括第一底部電極、第一中間電極及第一頂部電極，且所述第一導體分別電連接到所述第一底部電極、所述第一中間電極及所述第一頂部電極。

14.根據權利要求12所述的半導體結構，其進一步包括安置在所述第二區中的至少一個第二導體，其中所述第二電容器的所述第二電極包括第二頂部電極、第二中間電極及第二底部電極，所述第二導體穿透包括所述第二頂部電極及所述第二中間電極的一對、包括所述第二中間電極及所述第二底部電極的一對或包括所述第二頂部電極及所述第二底部電極的一對。

15.根據權利要求12所述的半導體結構，其中所述第一電極及所述第二電極分別包括單導電層或多導電層。