[發明專利]一種具有四層減反射膜的太陽電池的制作方法

有效

• 申請號: 201811227633.0
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN109599446B
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 朱金浩;吳國強;許布;劉義德;陳玨榮
• 申請（專利權）人: 浙江光隆能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 嘉興永航專利代理事務所(普通合伙) 33265
• 代理人: 俞培鋒

本發明提供了一種具有四層減反射膜的太陽電池的制作方法。它解決了現有太陽能電池板沒有相關的制作方法，無法批量制作，制作繁瑣等技術問題。本具有四層減反射膜的太陽電池的制作方法，包括如下步驟：a、硅片檢測；b、表面制絨；c、擴散制結；d、去磷硅玻璃；e、刻蝕；f、鍍膜；g、絲網印刷；h、燒結。本發明具有制作簡便的優點。

技術領域

本發明屬于太陽電池技術領域，涉及一種制作方法，特別是一種具有四層減反射膜的太陽電池的制作方法。

背景技術

隨著科技、經濟和人口的飛速發展，人們開發出越來越多的新型能源，包括風能、太陽能、核能等，相比于傳統的化學能，它們具有可再生、潔凈等優點，其中的太陽能以太陽電池為轉換器件，其將光能轉換為電能。在太陽電池結構中，減反射膜在電池高效合理利用太陽光譜方面有著重要的影響，可以直接影響著電池的光電轉換效率。

經檢索，如中國專利文獻公開了一種雙層減反射膜太陽能電池板【申請號：201611000827.8；公開號：CN106449785A】。這種雙層減反射膜太陽能電池板，包括鋁合金邊框和太陽能電池板，其特征在于：所述鋁合金邊框內部設置有擋條，所述太陽能電池板安裝在鋁合金邊框內，所述太陽能電池板由第一減反射膜、第二減反射膜、基板和TPT組成，且基板下表面設置有TPT，基板上表面設置有第二減反射膜，第二減反射膜上表面設置有第一減反射膜。

該專利中公開的太陽能電池板雖然可提高電池轉換效率，但是，該太陽能電池板沒有相關的制作方法，無法批量制作，制作繁瑣，因此，設計出一種具有四層減反射膜的太陽電池的制作方法是很有必要的。

發明內容

本發明的目的是針對現有的技術存在上述問題，提出了一種具有四層減反射膜的太陽電池的制作方法，該制作方法具有制作簡便的特點。

本發明的目的可通過下列技術方案來實現：一種具有四層減反射膜的太陽電池的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

a、硅片檢測：對來料硅片進行檢測，去除不合格硅片；

b、表面制絨：將檢測好的硅片放入堿性制絨溶液中進行表面腐蝕制絨；

c、擴散制結：將制絨好的硅片放入擴散爐中進行擴散制結；

d、去磷硅玻璃：將擴散制結好的硅片放入酸性溶液中進行去磷硅玻璃處理；

e、刻蝕：將去磷硅玻璃好的硅片放到刻蝕機上進行濕法刻蝕；

f、鍍膜：

f1、將刻蝕好的硅片放入石墨舟中，將石墨舟送入管式PECVD裝置進行預沉積和清洗；

f2、將步驟f1中完成的硅片用管式PECVD裝置沉積，得到第一層折射率為2.40-2.55的高折射率氮化硅減反射膜，其中，PECVD參數設置為：氨氣流量4.5-5.0slm，硅烷流量900-1100sccm，壓強1650-1750mTor，射頻功率6500-7500wart，占空比50：500ms，鍍膜時間110-130s；

f3、將步驟f2中完成的硅片用管式PECVD裝置再次沉積，得到第二層折射率為2.13-2.20的中折射率氮化硅減反射膜，其中，PECVD參數設置為：氨氣流量4.5-5.0slm，硅烷流量650-900sccm，壓強1650-1750mTor，射頻功率7000-8000wart，占空比50：500ms，鍍膜時間80-100s；

f4、將步驟f3中完成的硅片用管式PECVD裝置再次沉積，得到第三層折射率為2.08-2.12的中低折射率氮化硅減反射膜，其中，PECVD參數設置為：氨氣流量5.0-5.5slm，硅烷流量600-700sccm，壓強1650-1750mTor，射頻功率7000-8000wart，占空比50：500ms，鍍膜時間130-180s；