[發明專利]一種具有四層減反射膜的太陽電池的制作方法

有效

• 申請號: 201811227633.0
• 申請日: 2018-10-22
• 公開（公告）號: CN109599446B
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 朱金浩;吳國強;許布;劉義德;陳玨榮
• 申請（專利權）人: 浙江光隆能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 嘉興永航專利代理事務所(普通合伙) 33265
• 代理人: 俞培鋒

1.一種具有四層減反射膜的太陽電池的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

a、硅片檢測：對來料硅片進行檢測，去除不合格硅片；

b、表面制絨：將檢測好的硅片放入堿性制絨溶液中進行表面腐蝕制絨；

c、擴散制結：將制絨好的硅片放入擴散爐中進行擴散制結；

d、去磷硅玻璃：將擴散制結好的硅片放入酸性溶液中進行去磷硅玻璃處理；

e、刻蝕：將去磷硅玻璃好的硅片放到刻蝕機上進行濕法刻蝕；

f、鍍膜：

f1、將刻蝕好的硅片放入石墨舟中，將石墨舟送入管式PECVD裝置進行預沉積和清洗；

f2、將步驟f1中完成的硅片用管式PECVD裝置沉積，得到第一層折射率為2.40-2.55的高折射率氮化硅減反射膜，其中，PECVD參數設置為：氨氣流量4.5-5.0slm，硅烷流量900-1100sccm，壓強1650-1750mTor，射頻功率6500-7500wart，占空比50：500ms，鍍膜時間110-130s；

f3、將步驟f2中完成的硅片用管式PECVD裝置再次沉積，得到第二層折射率為2.13-2.20的中折射率氮化硅減反射膜，其中，PECVD參數設置為：氨氣流量4.5-5.0slm，硅烷流量650-900sccm，壓強1650-1750mTor，射頻功率7000-8000wart，占空比50：500ms，鍍膜時間80-100s；

f4、將步驟f3中完成的硅片用管式PECVD裝置再次沉積，得到第三層折射率為2.08-2.12的中低折射率氮化硅減反射膜，其中，PECVD參數設置為：氨氣流量5.0-5.5slm，硅烷流量600-700sccm，壓強1650-1750mTor，射頻功率7000-8000wart，占空比50：500ms，鍍膜時間130-180s；

f5、將步驟f4中完成的硅片用管式PECVD裝置再次沉積，得到第四層折射率為2.06-2.08的低折射率氮化硅減反射膜，其中，PECVD參數設置為：氨氣流量5.0-5.5slm，硅烷流量500-600sccm，壓強1650-1750mTor，射頻功率7000-8000wart，占空比50：500ms，鍍膜時間180-250s；

g、絲網印刷：通過配制設備分別配制出所需的銀鋁漿料、鋁漿料和銀漿料，將鍍膜好的硅片放到絲網印刷設備上進行印刷；所述步驟g中的印刷具體過程為：背電極銀鋁漿印刷，烘箱干燥，背電場鋁漿印刷，烘箱干燥，正電極銀漿印刷，烘箱干燥；

h、燒結：將絲網印刷好的硅片放入燒結爐中進行燒結，即可得到成品太陽電池；

所述配制設備包括工作臺，工作臺上固定有配制箱，配制箱上部具有進料口，進料口處設置有電磁閥一，配制箱下部具有出料口，出料口處設置有電磁閥二，工作臺上固定有立柱，立柱上設置有升降座，且升降座位于配制箱正上方，升降座與一能使其上下移動的驅動結構相連，升降座和連接桿上端相連，連接桿下端伸入到配制箱內與安裝板相連，安裝板上設置有攪拌機構，攪拌機構包括主攪拌軸、副攪拌軸一、副攪拌軸二、驅動電機、傳動輪、支架、導向條、導塊和輔助條，驅動電機固定在安裝板上，驅動電機的輸出軸豎直向上，傳動輪固定在驅動電機的輸出軸端部，主攪拌軸、副攪拌軸一和副攪拌軸二分別豎直設置在安裝板上，且副攪拌軸一和副攪拌軸二對稱布置于主攪拌軸兩側，主攪拌軸上端固定有主齒輪，且主齒輪與傳動輪相嚙合，主攪拌軸下端固定有螺旋正向葉片，副攪拌軸一的上端固定有從齒輪一，且從齒輪一與主齒輪相嚙合，副攪拌軸一的下端固定有螺旋反向葉片一，副攪拌軸二的上端固定有從齒輪二，且從齒輪二與主齒輪相嚙合，副攪拌軸二的下端固定有螺旋反向葉片二，支架固定在安裝板上，導塊固定在支架上，導向條滑動設置在導塊上，輔助條水平固定在導向條上，輔助條一端固定有推送板一，且推送板一呈豎直布置，輔助條另一端固定有推送板二，且推送板二呈豎直布置，輔助條一側具有齒牙部一，輔助條另一側具有齒牙部二，副攪拌軸一上還具有半齒輪一，且半齒輪一能與齒牙部一相嚙合，副攪拌軸二上還具有半齒輪二，且半齒輪二能與齒牙部二相嚙合。

2.根據權利要求1所述的具有四層減反射膜的太陽電池的制作方法，其特征在于，所述步驟b中的堿性制絨溶液為NaOH、Na₂SiO₃、IPA的混合溶液。