[發(fā)明專利]基板處理裝置及其組件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811224323.3
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN109698108A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓有東;梁大賢
• 申請（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C16/455;C23C16/32
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 車今智

提供了一種基板處理裝置及其組件。該基板處理裝置包括腔室，在該腔室中具有處理空間；支承單元，其在處理空間內(nèi)支承基板；氣體供應(yīng)單元，其向處理空間中供應(yīng)工藝氣體，以及等離子源，其激發(fā)處理空間內(nèi)的工藝氣體。支承單元包括支承板，基板放置在該支撐板上；以及邊緣環(huán)，其具有環(huán)形形狀，該邊緣環(huán)圍繞支承板設(shè)置，并且在該邊緣環(huán)的上部形成有涂層，該涂層具有在β?碳化硅(β?SiC)晶體的<111>晶向上優(yōu)選取向生長的碳化硅晶體。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2017年10月20日提交韓國工業(yè)產(chǎn)權(quán)局、申請?zhí)枮?0-2017-0136463的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在本申請中。

技術(shù)領(lǐng)域

在本文中描述的本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及一種基板處理裝置及其組件。

背景技術(shù)

為了制造半導(dǎo)體設(shè)備，通過不同的工藝在基板上形成期望的圖案，例如光刻、刻蝕、灰化、離子注入、薄膜沉積和清潔工藝。在這些工藝中，刻蝕工藝用于從形成在基板上的層中去除選定的加熱區(qū)域，該刻蝕工藝包括濕法刻蝕工藝和干法刻蝕工藝。

其中，對于干法刻蝕，使用利用等離子體的刻蝕設(shè)備。通常，在腔室的內(nèi)部空間形成電場以形成等離子體。電場激發(fā)腔室中提供的工藝氣體使其處于等離子狀態(tài)。

等離子體指的是氣體電離的狀態(tài)，包括離子、電子和自由基。由于相當(dāng)高的溫度、強(qiáng)的電場、或射頻電磁場而生成等離子體。半導(dǎo)體設(shè)備的制造工藝包括使用等離子體的刻蝕工藝。當(dāng)包含在等離子體中的離子粒子與基板碰撞時(shí)，執(zhí)行刻蝕工藝。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種具有長壽命的組件和包括該組件的基板處理裝置。

根據(jù)一示例性的實(shí)施例，基板處理裝置可包括腔室，在該腔室中具有處理空間；支承單元，其在處理空間內(nèi)支承基板；氣體供應(yīng)單元，其向處理空間供應(yīng)工藝氣體，以及等離子源，其激發(fā)處理空間內(nèi)的工藝氣體。支承單元可包括支承板，基板放置在該支承板上，以及邊緣環(huán)，其具有環(huán)形形狀，該邊緣環(huán)圍繞支承板設(shè)置，并且在的該邊緣環(huán)的上部形成有涂層，該涂層具有在β-碳化硅(β-SiC)晶體的<111>晶向上優(yōu)選取向生長的碳化硅晶體。

在涂層中，<111>晶向占90％或更多。

涂層可具有2μm或更小的晶粒尺寸。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，一種基板處理裝置可包括腔室，在該腔室中具有處理空間；支承單元，其在處理空間內(nèi)支承基板；氣體供應(yīng)單元，其向處理空間供應(yīng)工藝氣體，以及等離子源，其激發(fā)處理空間內(nèi)的工藝氣體。支承單元可包括支承板，基板放置該支承板上，以及邊緣環(huán)，其具有環(huán)形形狀，該邊緣環(huán)圍繞支承板設(shè)置，并且在該邊緣環(huán)的上部形成有涂層，該涂層具有2μm的晶粒尺寸。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一方面，一種使用等離子體的基板處理裝置的組件可包括基部，以及涂層，其形成在基部上，并且具有抗等離子體性。涂層具有在β-碳化硅(β-SiC)晶體的<111>晶向上優(yōu)選取向生長的碳化硅晶體。

此外，在該涂層中，具有<111>晶向的晶體占涂層的總晶體的90％或更多。

該涂層具有2μm或更小的晶粒尺寸。

附圖說明

通過參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明構(gòu)思的上述和其他的目的和特征將變得顯而易見。

圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的基板處理裝置的圖；和

圖2為部分的放大圖，在圖1中邊緣環(huán)放置在該部分中。

具體實(shí)施方式