[發明專利]基板處理裝置及其組件

在審

• 申請號: 201811224323.3
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN109698108A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: 韓有東;梁大賢
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C16/455;C23C16/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 車今智

1.一種基板處理裝置，其包括：

腔室，在所述腔室中具有處理空間；

支承單元，其在所述處理空間內支承基板；

氣體供應單元，其向所述處理空間供應工藝氣體；以及

等離子源，其激發所述處理空間內的所述工藝氣體，

其中，所述支承單元包括：

支承板，所述基板放置在所述支承板上；以及

邊緣環，其具有環形形狀，所述邊緣環圍繞所述支承板設置，并且在所述邊緣環的上部形成有涂層，所述涂層具有在β-碳化硅(β-SiC)晶體的<111>晶向上優選取向生長的碳化硅晶體。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，在所述涂層中，所述<111>晶向占90％或更多。

3.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，所述涂層具有2μm或更小的晶粒尺寸。

4.一種基板處理裝置，其包括：

腔室，在所述腔室中具有處理空間；

支承單元，其在所述處理空間內支承基板；

氣體供應單元，其向所述處理空間供應工藝氣體；以及

等離子源，其激發所述處理空間內的所述工藝氣體，

其中，所述支承單元包括：

支承板，所述基板放置在所述支承板上；以及

邊緣環，其具有環形形狀，所述邊緣環圍繞所述支承板設置，并且在所述邊緣環的上部形成有涂層，所述涂層具有2μm的晶粒尺寸。

5.一種使用等離子體的基板處理裝置的組件，所述組件包括：

基部；以及

涂層，其形成在所述基部上，并且具有抗等離子體性，以及

其中，所述涂層具有在β-碳化硅(β-SiC)晶體的<111>晶向上優選取向生長的碳化硅晶體。

6.根據權利要求5所述的組件，其中，具有所述<111>晶向的晶體占所述涂層總晶體的90％或更多。

7.根據權利要求5所述的組件，其中，所述涂層具有2μm或更小的晶粒尺寸。