[發明專利]半導體設備的調度方法、調度裝置及系統有效
| 申請號: | 201811223430.4 | 申請日: | 2018-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN111081590B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發明(設計)人: | 雷花;紀紅 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體設備 調度 方法 裝置 系統 | ||
本發明提供一種半導體設備的調度方法、調度裝置及系統,屬于半導體設備技術領域,其可至少部分解決現有的半導體設備中晶圓的傳輸動作序列計算失敗的問題。本發明的調度方法包括:當前一任務中最后一片晶圓被傳輸至第一個所述功能模塊時,獲取前一任務涉及的各所述功能模塊中晶圓的分布狀態;判斷各所述功能模塊中晶圓的分布狀態是否符合輔助檢測條件參數表,其中所述輔助檢測條件參數表中規定前一任務進行穩定傳輸所涉及的各所述功能模塊中晶圓的分布狀態;如果前一任務涉及的功能模塊中晶圓的分布狀態與所述輔助檢測條件參數表一致,則啟動后一任務的第一片晶圓的傳輸動作序列的計算。
技術領域
本發明屬于半導體設備技術領域,具體涉及一種半導體設備的調度方法、一種半導體設備的調度裝置以及一種半導體設備系統。
背景技術
圖1中示出的是現有的一種半導體設備,其工作流程如下:
大氣機械手ATR從晶盒(第一晶盒LP1、第二晶盒LP2、第三晶盒LP3中的一個)中取出一片晶圓w并傳輸至預抽真空腔室(也稱LoadLock腔室,即圖1中第一預抽真空腔室LA或第二預抽真空腔室LB)。之后,位于真空傳輸腔室TC內的真空機械手VTR(具有第一手臂A和第二手臂B)將晶圓w從預抽真空腔室取出并根據工藝流程依次傳輸至多個工藝腔室(圖1中的第一工藝腔室CH1、第二工藝腔室CH2、第三工藝腔室CH3、第四工藝腔室CH4、第五工藝腔室CH5)內進行加工。當晶圓w在工藝腔室內的加工完成后,真空機械手VTR將晶圓w從最后一個工藝腔室中取出再傳輸至一個預抽真空腔室。隨后大氣機械手ATR將該晶圓w從預抽真空腔室中取出并傳輸至一個晶盒內。至此,該晶圓w的加工過程完成。
該半導體設備通常會負責依次進行多個任務,其中每個任務用于按照上述方法加工至少一片晶圓w。每個任務中不同晶圓w所行走的路徑可能是相同的,也可能是不同。由調度裝置負責計算每個晶圓w的傳輸動作序列(即每個晶圓w怎么移動,以及在什么時機下移動等)。為提高產能,調度裝置通常會在前一任務最后一片晶圓w被大氣機械手ATR從晶盒中取出并傳輸至一個預抽真空腔室后,便啟動后一任務第一片晶圓w的傳輸動作序列的計算(這種調度方式也稱為管道模式)。
現有技術中對后一任務第一片晶圓w的傳輸動作序列的計算不會考慮當前前一任務中各晶圓w所處狀態(這會大大提高計算量),這導致存在阻塞風險:例如前一任務中正在加工或傳輸的晶圓w和后一任務的第一片晶圓w同時要占用同一個預抽真空腔室。這導致后一任務的第一片晶圓w的傳輸動作序列的計算失敗,當然也就無法傳輸后一任務的第一片晶圓w。
發明內容
本發明至少部分解決現有的半導體設備的調度裝置在調度多個任務時存在阻塞風險的問題,提供一種半導體設備的調度方法、一種半導體設備的調度裝置以及一種半導體設備系統。
根據本發明的第一方面,提供一種半導體設備的調度方法,所述半導體設備包括多個功能模塊,所述調度方法用于調度多個任務,其中每個任務用于將至少一片晶圓從晶盒中取出并依次傳輸至其中多個所述功能模塊后再傳輸入晶盒中,所述調度方法包括:
當前一任務中最后一片晶圓被傳輸至第一個所述功能模塊時,獲取前一任務涉及的各所述功能模塊中晶圓的分布狀態;
判斷各所述功能模塊中晶圓的分布狀態是否符合輔助檢測條件參數表,其中所述輔助檢測條件參數表中規定前一任務進行穩定傳輸所涉及的各所述功能模塊中晶圓的分布狀態;
如果前一任務涉及的功能模塊中晶圓的分布狀態與所述輔助檢測條件參數表一致,則啟動后一任務的第一片晶圓的傳輸動作序列的計算。
可選地,在所述啟動后一任務的第一片晶圓的傳輸動作序列的計算后,該調度方法還包括:將后一任務的第一片晶圓從晶盒中取出并傳輸至一個所述功能模塊。
可選地,所述前一任務涉及的功能模塊中晶圓的分布狀態包括:前一任務涉及的各功能模塊中是否有晶圓。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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