[發明專利]半導體裝置、設計其版圖的方法以及其制造方法

在審

• 申請號: 201811223295.3
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN110034107A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 劉鐘奎;金珉修;金用杰;李大成
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;G06F17/50
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

1.一種半導體裝置，包括：

第一硬宏；

第二硬宏，在第一方向上與所述第一硬宏間隔第一距離；

頭單元，設置在所述第一硬宏和所述第二硬宏之間的標準單元區域中，所述頭單元被配置為對提供給所述第一硬宏和所述第二硬宏中的一個的電源電壓執行電源門控；

多個第一末端單元，設置在所述標準單元區域中并與所述第一硬宏相鄰；以及

多個第二末端單元，設置在所述標準單元區域中并與所述第二硬宏相鄰，

其中，所述頭單元不與所述多個第一末端單元和所述多個第二末端單元交疊。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述頭單元插入在與所述第一硬宏相鄰的所述多個第一末端單元之間，以及

其中，所述多個第一末端單元的第一數量小于所述多個第二末端單元的第二數量。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述多個第一末端單元中的每個第一末端單元和所述多個第二末端單元中的每個第二末端單元被配置為用作末端電容器、虛設單元和阱-結中的一個或更多個。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述多個第二末端單元中的每個第二末端單元被配置為用作虛設單元，并且所述多個第一末端單元中的每個第一末端單元被配置為用作阱-結，或者用作所述阱-結以及末端電容器和虛設單元中的一個或更多個。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述多個第一末端單元中的每個第一末端單元被配置為用作虛設單元，并且所述多個第二末端單元中的每個第二末端單元被配置為用作阱-結，或者用作所述阱-結以及末端電容器和虛設單元中一個或更多個。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

第一屏蔽圖案，與所述第一硬宏的第一邊緣相鄰，所述第一屏蔽圖案在沿所述第一方向交叉的第二方向布置，所述第一硬宏的所述第一邊緣與所述多個第一末端單元相鄰；以及

第二屏蔽圖案，與所述第二硬宏的第二邊緣相鄰，所述第二屏蔽圖案沿所述第二方向布置，所述第二硬宏的所述第二邊緣與所述多個第二末端單元相鄰。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，所述第一屏蔽圖案設置在所述第一硬宏內或者設置為與所述多個第一末端單元和所述頭單元交叉。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，所述第二屏蔽圖案設置在所述第二硬宏內或者設置為與所述多個第二末端單元交叉。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，所述第一屏蔽圖案設置在所述第一硬宏內，并且所述第二屏蔽圖案設置在所述第二硬宏內。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，還包括：

第三屏蔽圖案，設置為與所述多個第一末端單元和所述頭單元交叉，所述第三屏蔽圖案在所述第二方向上延伸；以及

第四屏蔽圖案，設置為與所述多個第二末端單元和交叉，所述第四屏蔽圖案在所述第二方向上延伸。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述多個第一末端單元中的每個第一末端單元和所述頭單元在所述第一方向上與所述第一硬宏間隔第二距離，并且

其中，所述多個第二末端單元中的每個第二末端單元在所述第一方向上與所述第二硬宏間隔第三距離。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述多個第一末端單元中的每個第一末端單元和所述頭單元沿著所述第一方向與所述第一硬宏直接相鄰，以及

其中，所述多個第二末端單元中的每個第二末端單元沿著所述第一方向與所述第二硬宏直接相鄰。