[發(fā)明專利]半導體裝置、設計其版圖的方法以及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811223295.3 | 申請日: | 2018-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN110034107A | 公開(公告)日: | 2019-07-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉鐘奎;金珉修;金用杰;李大成 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 末端單元 半導體裝置 標準單元 頭單元 電源電壓 電源門控 交疊 制造 配置 | ||
提供了一種半導體裝置、設計其版圖的方法以及其制造方法。半導體裝置包括:第一硬宏;第二硬宏,在第一方向上與所述第一硬宏間隔第一距離;頭單元,設置在所述第一硬宏和所述第二硬宏之間的標準單元區(qū)域中,所述頭單元被配置為對提供給所述第一硬宏和所述第二硬宏中的一個的電源電壓執(zhí)行電源門控;多個第一末端單元,設置在所述標準單元區(qū)域中并與所述第一硬宏相鄰;以及多個第二末端單元,設置在所述標準單元區(qū)域中并與所述第二硬宏相鄰,所述頭單元不與所述多個第一末端單元和所述多個第二末端單元交疊。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2018年1月11日在韓國知識產(chǎn)權局(KIPO)提交的韓國專利申請No.10-2018-0003631的優(yōu)先權,其全部內(nèi)容通過引用并入本文。
技術領域
與示例實施例一致的方法和裝置涉及半導體。更具體地,示例實施例可以涉及半導體裝置、設計半導體裝置的版圖的方法和制造半導體裝置的方法。
背景技術
半導體裝置已經(jīng)變得高度集成,并且半導體裝置的電路已經(jīng)變得很復雜了。因此,手動設計半導體裝置的版圖已經(jīng)越來越困難了。因此,可以使用利用計算機設計半導體裝置的版圖的半定制方法。在半定制方法中,可以預先將用于執(zhí)行邏輯功能的標準單元提供給設計工具的單元庫,并且可以使用該標準單元來設計版圖。例如,標準單元可以是矩形。
隨著芯片的復雜度變得更高,已經(jīng)需要相對大尺寸的標準單元。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)示例實施例的一方面,提供了一種半導體裝置,包括:第一硬宏;第二硬宏,在第一方向上與所述第一硬宏間隔第一距離;頭單元,設置在所述第一硬宏和所述第二硬宏之間的標準單元區(qū)域中,所述頭單元被配置為對提供給所述第一硬宏和所述第二硬宏中的一個的電源電壓執(zhí)行電源門控;多個第一末端單元,設置在所述標準單元區(qū)域中并與所述第一硬宏相鄰;以及多個第二末端單元,設置在所述標準單元區(qū)域中并與所述第二硬宏相鄰,所述頭單元不與所述多個第一末端單元和所述多個第二末端單元交疊。
根據(jù)另一示例實施例的一方面,提供了一種設計半導體裝置的版圖的方法,包括:接收指示半導體裝置的尺寸的信息;分配第一硬宏區(qū)域、第二硬宏區(qū)域和輸入/輸出區(qū)域;以及在所述第一硬宏區(qū)域和所述第二硬宏區(qū)域之間的標準單元區(qū)域中布置頭單元、多個第一末端單元和多個第二末端單元,使得所述頭單元不與所述多個第一末端單元和所述多個第二末端單元交疊,所述頭單元被配置為對提供給所述第一硬宏區(qū)域和所述第二硬宏區(qū)域中的至少一個的電源電壓執(zhí)行電源門控,并且所述第二硬宏區(qū)域在第一方向上與所述第一硬宏區(qū)域間隔第一距離。
根據(jù)又一示例實施例的一方面,提供了一種制造半導體裝置的方法,所述制造方法包括:在版圖設計系統(tǒng)中設計半導體裝置的版圖;在所述版圖設計系統(tǒng)中的模擬工具中對所述版圖執(zhí)行光學鄰近校正(OPC)以確定版圖變化;基于所述版圖變化制造光掩模;以及使用所述光掩模制造所述半導體裝置。設計所述半導體裝置的所述版圖包括:通過所述版圖設計系統(tǒng)接收指示所述半導體裝置的尺寸的信息;分配第一硬宏區(qū)域、第二硬宏區(qū)域和輸入/輸出區(qū)域;以及在所述第一硬宏區(qū)域和所述第二硬宏區(qū)域之間的標準單元區(qū)域中布置頭單元、多個第一末端單元和多個第二末端單元,使得所述頭單元不與所述多個第一末端單元和所述多個第二末端單元交疊,所述頭單元被配置為對提供給所述第一硬宏區(qū)域和所述第二硬宏區(qū)域中的至少一個的電源電壓執(zhí)行電源門控,并且所述第二硬宏區(qū)域在第一方向上與所述第一硬宏區(qū)域間隔第一距離。
附圖說明
通過以下結合附圖的詳細描述,將更清楚地理解以上和其他的方面、特征和優(yōu)點,其中:
圖1是示出了根據(jù)示例實施例的用于設計半導體裝置的計算系統(tǒng)的框圖。
圖2是示出了根據(jù)示例實施例的用于設計和制造半導體裝置的方法的流程圖。
圖3是示出了根據(jù)示例實施例的圖2中的版圖設計方法的流程圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





