[發明專利]具有嵌入式清洗模塊的光刻系統

在審

• 申請號: 201811222288.1
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN109375471A
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 簡上杰;陳政宏;吳瑞慶;陳家楨;謝弘璋;呂啟綸;余家豪;張世明;嚴濤南
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發明提供了一種光刻系統。該光刻系統包括配置為使用固定在掩模臺上的掩模實施光刻曝光工藝的曝光模塊；以及集成在曝光模塊中并且設計為使用吸附機構清洗掩模和掩模臺中的至少一個的清洗模塊。本發明還提供了具有嵌入式清洗模塊的光刻系統。

本申請是于2014年3月7日提交的申請號為201410084248.0的名稱為“具有嵌入式清洗模塊的光刻系統”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明總體涉及半導體技術領域，更具體的，涉及具有嵌入式清洗模塊的光刻系統。

背景技術

半導體集成電路(IC)工業已經歷了快速的發展。IC材料和設計中的技術進步已產生了數代的IC，其中，每代IC都比前一代IC具有更小和更復雜的電路。在IC發展過程中，通常隨著幾何尺寸(即，使用制造工藝可以制成的最小部件或線)的減小，功能密度(即，每一芯片區域上互連器件的數量)增大。這種按比例縮小工藝通常通過增加生產效率和降低相關成本而提供益處。然而，這種按比例縮小工藝還增加了處理和制造IC的復雜性，并且為了實現這些進步，需要IC處理和制造中的類似發展。在一個與光刻圖案化相關的實例中，光刻工藝中使用的光掩模(或掩模)具有限定在其上的電路圖案并且將其轉印到晶圓。在先進的光刻技術中，利用反射掩模實施遠紫外(EUV)光刻工藝。需要清洗反射掩模以使掩模無缺陷。

在光刻工藝領域中，清洗光刻掩模是必要的。不可能在完全無粒子的清洗室和曝光工具中操作或傳輸掩模。換句話說，主要在傳輸過程中引起的一定程度的環境納米級或宏觀級粒子可直接粘附在掩模的背面或正面，從而降低了掩模和掩模臺的清潔度。從而，由于未清洗掩模而損害了光刻產品的產量。因此，如何以接近零損害的情況下有效地清洗掩模是光刻工藝中的一個重大課題。在一個實例中，現有的清洗工藝可對掩模造成各種損害，或具有高制造成本。在另一實例中，現有的清洗工藝不能有效地去除納米級粒子。在又一實例中，現有的清洗方法比較復雜且涉及到高成本工具。在又一實例中，在現有的清洗過程期間可能還會引入額外的粒子。在EUV光刻工藝中沒有有效的清洗方法和系統。在EUV光刻系統內部不能使用真空技術。

因此，需要解決上述問題的系統和方法。

發明內容

為了解決現有技術中存在的問題，根據本發明的一個方面，提供了一種光刻系統，包括：曝光模塊，配置為使用固定在掩模臺上的掩模實施光刻曝光工藝；以及清洗模塊，集成在所述曝光模塊中，并且所述清洗模塊被設計成使用吸附機構清洗所述掩模和所述掩模臺中的至少一個。

在上述光刻系統中，其中，所述清洗模塊包括：具有所述吸附機構的清洗結構和設計為固定并操作所述清洗結構的操縱機構。

在上述光刻系統中，其中，所述清洗模塊包括：具有所述吸附機構的清洗結構和設計為固定并操作所述清洗結構的操縱機構；所述清洗結構包括載體襯底和附接至所述載體襯底的吸附對象。

在上述光刻系統中，其中，所述清洗模塊包括：具有所述吸附機構的清洗結構和設計為固定并操作所述清洗結構的操縱機構；所述清洗結構包括載體襯底和附接至所述載體襯底的吸附對象；所述載體襯底是具有所述掩模的形狀和尺寸的掩模襯底。

在上述光刻系統中，其中，所述清洗模塊包括：具有所述吸附機構的清洗結構和設計為固定并操作所述清洗結構的操縱機構；所述清洗結構包括載體襯底和附接至所述載體襯底的吸附對象；所述吸附對象包括具有非極性鏈和極性化合物的材料。

在上述光刻系統中，其中，所述清洗模塊包括：具有所述吸附機構的清洗結構和設計為固定并操作所述清洗結構的操縱機構；所述清洗結構包括載體襯底和附接至所述載體襯底的吸附對象；所述吸附對象包括選自由膠帶、多糖、具有-OH鍵和高化學極性的聚乙烯醇(PVA)、以及具有表面活性劑的天然乳膠組成的組中的粘性材料。