[發明專利]具有嵌入式清洗模塊的光刻系統

在審

• 申請號: 201811222288.1
• 申請日: 2014-03-07
• 公開（公告）號: CN109375471A
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 簡上杰;陳政宏;吳瑞慶;陳家楨;謝弘璋;呂啟綸;余家豪;張世明;嚴濤南
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種光刻系統，包括：

曝光模塊，配置為使用固定在掩模臺上的掩模實施光刻曝光工藝；以及

清洗模塊，集成在所述曝光模塊中，并且所述清洗模塊被設計成使用具有吸附機構的清洗結構清洗所述掩模和所述掩模臺中的至少一個；

其中，所述清洗結構中包括載體襯底和附接至所述載體襯底的吸附對象，所述吸附對象包括選自由膠帶、多糖、具有-OH鍵和高化學極性的聚乙烯醇(PVA)、以及具有表面活性劑的天然乳膠組成的組中的粘性材料并且所述吸附對象被設計為其表面輪廓響應于目標對象的具有局部凸塊的表面輪廓而變化且基本上與所述目標對象的表面輪廓互補；以及

所述載體襯底是具有所述掩模的形狀和尺寸的掩模襯底。

2.根據權利要求1所述的光刻系統，其中，所述清洗模塊包括：具有所述吸附機構的清洗結構和設計為固定并操作所述清洗結構的操縱機構。

3.根據權利要求1所述的光刻系統，其中，所述清洗模塊包括：

吸附對象，設計為清洗所述掩模；以及

掩模操縱部件，設計為將所述吸附對象移動至所述掩模，并且所述掩模操縱部件可操作以對所述吸附對象施加壓力。

4.根據權利要求1所述的光刻系統，還包括腔室，所述腔室包括：

掩模庫，設計為容納多個掩模；

掩模操縱器，設計為固定并轉移所述多個掩模中的一個；以及

所述清洗模塊，配置在所述腔室中。

5.根據權利要求4所述的光刻系統，其中：

所述曝光模塊包括遠紫外(EUV)光源以在所述光刻曝光工藝期間產生用于曝光半導體晶圓的遠紫外光；

所述掩模臺是靜電夾盤以通過靜電力固定所述掩模；以及

所述掩模是反射掩模。

6.根據權利要求5所述的光刻系統，其中：

所述掩模庫是可存取的以容納所述清洗結構，所述清洗結構被設計為清洗所述掩模臺；

所述清洗結構具有所述掩模的形狀和尺寸；以及

所述掩模臺能夠固定用于清洗所述掩模臺的所述清洗結構。

7.一種光刻系統，包括：

曝光模塊，設計為實施光刻曝光工藝，并且所述曝光模塊被配置在保持在真空環境中的封閉腔室中；以及

清洗模塊，與所述曝光模塊集成，其中，所述清洗模塊包括具有吸附機構以去除粒子的清洗結構和設計為固定并轉移所述清洗結構的操縱機構；

其中，所述清洗結構中包括載體襯底和附接至所述載體襯底的吸附對象，所述吸附對象包括選自由膠帶、多糖、具有-OH鍵和高化學極性的聚乙烯醇(PVA)、以及具有表面活性劑的天然乳膠組成的組中的粘性材料并且所述吸附對象被設計為其表面輪廓響應于目標對象的具有局部凸塊的表面輪廓而變化且基本上與所述目標對象的表面輪廓互補；以及

所述載體襯底具有掩模的形狀和尺寸。

8.根據權利要求7所述的光刻系統，其中：

所述曝光模塊包括遠紫外(EUV)光源以產生遠紫外光；

掩模臺是靜電夾盤，從而通過靜電力固定掩模；以及

所述掩模是反射掩模。

9.根據權利要求7所述的光刻系統，還包括腔室，所述腔室具有嵌入在其中的所述清洗模塊，其中，所述腔室還包括：

掩模庫，設計為容納多個掩模；以及

掩模操縱器，設計為用于掩模轉移。