[發(fā)明專利]一種濾光片鍍膜方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811220875.7
• 申請(qǐng)日: 2018-10-19
• 公開（公告）號(hào): CN109212646B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州文迪光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G02B5/28
• 分類號(hào): G02B5/28
• 代理公司: 蘇州翔遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32251
• 代理人: 劉計(jì)成

本發(fā)明提供一種濾光片鍍膜工藝，該濾光片鍍膜工藝在對(duì)梯形濾光片進(jìn)行鍍膜時(shí)，采用兩次鍍膜的方式，中間層鍍膜時(shí)中間間隔一段時(shí)間，這樣再間隔的這段時(shí)間內(nèi)可起到對(duì)已完成鍍膜的膜系去應(yīng)力作用，從而可達(dá)到防止膜層破裂、脫落的情況出現(xiàn)，同時(shí)該濾光片在鍍膜時(shí)每個(gè)階段都采用不同的沉積氣壓和沉積速率，這樣也能在一定程度上起到去應(yīng)力的作用，進(jìn)而了有效提高濾光片的鍍膜質(zhì)量和成品率，降低企業(yè)生產(chǎn)成本，提高經(jīng)濟(jì)效益。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高硬度梯形結(jié)構(gòu)濾光片的鍍膜方法。

背景技術(shù)

光通信是指以光作為信息載體而實(shí)現(xiàn)的通信方式，按傳輸介質(zhì)的不同可分為大氣激光通信和光纖通信兩種。光通信具有通信容量大、傳輸距離長(zhǎng)、抗電磁干擾、傳輸質(zhì)量佳、信號(hào)串?dāng)_小、保密性好等優(yōu)點(diǎn)，是未來傳輸網(wǎng)絡(luò)發(fā)展的最終目標(biāo)，具有非常廣闊的市場(chǎng)前景。在光通信產(chǎn)品的雙向收發(fā)器模塊中，通過選定波長(zhǎng)的雷射訊號(hào)，而反射不需要的波段通常采用濾光片（edge filters）實(shí)現(xiàn)，可以說濾光片在光通信產(chǎn)品中起著致關(guān)重要的作用。

梯形濾光片將基片設(shè)置為梯形結(jié)構(gòu)，這樣可以避免光電器件發(fā)出的光經(jīng)過陶瓷片反射后從原路返回，因此存在較好的濾光效果，如發(fā)明專利（專利號(hào)：201721719827.3）就公開了一種梯形濾光片，包括濾光片本體，所述濾光片本體的橫截面為梯形，所述濾光片本體的一個(gè)斜面上鍍有膜系層，所述膜系層與所述濾光片本體之間還設(shè)有增透膜層，所述增透膜層包括至少一層MgF2膜層和至少一層SiO2膜層，所述SiO2膜層與所述MgF2膜層交替設(shè)置。

但現(xiàn)在的梯形濾光片往往會(huì)鍍膜層破裂、脫落的情況，出現(xiàn)這種情況的原因往往是鍍膜層在基片表面應(yīng)力不一致造成的，而對(duì)于梯形的濾光片而言，由于基片結(jié)構(gòu)較為特殊，因此，這一情況更為嚴(yán)重，為了進(jìn)一步提高產(chǎn)品的質(zhì)量及產(chǎn)品合格率，除了對(duì)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)做進(jìn)一步的改進(jìn)外，還需要對(duì)濾光片的鍍膜工藝做進(jìn)一步的改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠有效提高濾光片鍍膜質(zhì)量的鍍膜工藝。

一種濾光片鍍膜工藝，其特征在于，其包括如下步驟：

1）濾光片研磨：將大塊的濾光片基板切割成小片的基片，對(duì)基片進(jìn)行研磨，將基片研磨成直角梯形結(jié)構(gòu)；

2）濾光片清洗：使用超聲波設(shè)備對(duì)濾光片進(jìn)行清洗；

3）濾光片鍍膜：將濾光片置于鍍膜傘內(nèi)在鍍膜機(jī)內(nèi)進(jìn)行鍍膜，鍍膜機(jī)采用蒸發(fā)鍍膜方式在直角梯形結(jié)構(gòu)基片的斜面上進(jìn)行沉積鍍膜，該濾光片鍍膜的膜系結(jié)構(gòu)為L(zhǎng)HLHL結(jié)構(gòu)，其中H表示TiO2層、L層為SiO2層；當(dāng)鍍膜至該膜系結(jié)構(gòu)的中間SiO2層厚度的1/2-3/4時(shí)，停止鍍膜一段時(shí)間，然后再繼續(xù)鍍膜，直至整個(gè)膜系鍍膜完成。

優(yōu)選的，當(dāng)鍍膜至該膜系結(jié)構(gòu)的中間SiO2層厚度的1/2-3/4時(shí)，停止鍍膜，進(jìn)行退火處理。

優(yōu)選的，整個(gè)膜系鍍膜完成后需進(jìn)行退火處理和老化處理。

優(yōu)選的，該濾光片鍍膜的膜系結(jié)構(gòu)中各膜系層厚度依次為43-48nm、52-56nm、92-101nm、82-87nm、65-72nm。

優(yōu)選的，在鍍膜過程中，鍍制第一層SiO2層時(shí)，淀積氣壓為3 .2E^-4Pa，淀積速率為0.7～0 .75nm/s；在鍍制第一層TiO2層時(shí)，淀積氣壓為4 .3E^-4Pa，淀積速率為0 .2～0.24nm/s，鍍制第二層SiO2層時(shí)，先采用淀積氣壓為3 .2E^-4Pa，淀積速率為0 .7～0 .75nm/s進(jìn)行鍍制，停止一段時(shí)間后采用淀積氣壓為3 .0E^-4Pa，淀積速率為0 .65～0 .7nm/s進(jìn)行鍍制；在鍍制第二層TiO2層時(shí)，淀積氣壓為4 .0E^-4Pa，淀積速率為0 .2～0 .24nm/s；鍍制第三層SiO2層時(shí)，淀積氣壓為3 .0E^-4Pa，淀積速率為0 .65～0 .7nm/s。