[發(fā)明專利]一種濾光片鍍膜方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811220875.7
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN109212646B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王紅
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州文迪光電科技有限公司
• 主分類號: G02B5/28
• 分類號: G02B5/28
• 代理公司: 蘇州翔遠專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32251
• 代理人: 劉計成

1.一種濾光片鍍膜方法，其特征在于，其包括如下步驟：

1）濾光片研磨：將大塊的濾光片基板切割成小片的基片，對基片進行研磨，將基片研磨成直角梯形結(jié)構(gòu)；

2）濾光片清洗：使用超聲波設(shè)備對濾光片進行清洗；

3）濾光片鍍膜：將濾光片置于鍍膜傘內(nèi)在鍍膜機內(nèi)進行鍍膜，鍍膜機采用蒸發(fā)鍍膜方式在直角梯形結(jié)構(gòu)基片的斜面上進行沉積鍍膜，該濾光片鍍膜的膜系結(jié)構(gòu)為LHLHL結(jié)構(gòu)，其中H表示TiO2層、L層為SiO2層；當(dāng)鍍膜至該膜系結(jié)構(gòu)的中間SiO2層厚度的1/2-3/4時，停止鍍膜一段時間，然后再繼續(xù)鍍膜，直至整個膜系鍍膜完成；

在鍍膜過程中，鍍制第一層SiO2層時，淀積氣壓為3 .2E^-4Pa，淀積速率為0 .7～0.75nm/s；在鍍制第一層TiO2層時，淀積氣壓為4 .3E^-4Pa，淀積速率為0 .2～0 .24nm/s，鍍制第二層SiO2層時，先采用淀積氣壓為3 .2E^-4Pa，淀積速率為0 .7～0 .75nm/s進行鍍制，停止一段時間后采用淀積氣壓為3 .0E^-4Pa，淀積速率為0 .65～0 .7nm/s進行鍍制；在鍍制第二層TiO2層時，淀積氣壓為4 .0E^-4Pa，淀積速率為0 .2～0 .24nm/s；鍍制第三層SiO2層時，淀積氣壓為3 .0E^-4Pa，淀積速率為0 .65～0 .7nm/s。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾光片鍍膜方法，其特征在于：當(dāng)鍍膜至該膜系結(jié)構(gòu)的中間SiO2層厚度的1/2-3/4時，停止鍍膜，進行退火處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾光片鍍膜方法，其特征在于：整個膜系鍍膜完成后需進行退火處理和老化處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾光片鍍膜方法，其特征在于：該濾光片鍍膜的膜系結(jié)構(gòu)中各膜系層厚度依次為43-48nm、52-56nm、92-101nm、82-87nm、65-72nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾光片鍍膜方法，其特征在于：在鍍膜過程中，當(dāng)鍍膜至該膜系結(jié)構(gòu)的中間SiO2層厚度的1/2-3/4時，停止鍍膜的時間為15-20分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濾光片鍍膜方法，其特征在于：鍍膜機內(nèi)蒸發(fā)鍍膜區(qū)內(nèi)的溫度控制在220°左右。