[發明專利]一種硅片圓片切割前準備工藝在審
| 申請號： | 201811219598.8 | 申請日： | 2018-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN111070447A | 公開（公告）日： | 2020-04-28 |
| 發明（設計）人： | 徐志華;張彥;陳玲 | 申請（專利權）人： | 江陰蘇陽電子股份有限公司 |
| 主分類號： | B28D5/00 | 分類號： | B28D5/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214400 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅片 切割 準備 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅片圓片切割前準備工藝，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、根據產品名稱及劃片槽的大小確認劃片刀型號；
步驟2、操作員在切割前應該檢查載物臺，如果載物臺上有雜質，操作員應該用氣槍吹去這些雜質；
步驟3、點擊“刀片狀況資料”， 讀取刀刃露出量，所述刀刃露出量小于刀刃最小露出量時，需更換劃片刀，刀刃最小露出量=圓片厚度+切入膜量+50um，若劃片刀露出量沒有達到規定的使用下限但刀痕不符合規范時也需要更換劃片刀；
步驟4、純水檢測： 檢查內容：純水阻值 ； 純水PH值，頻率：每班一次，早晚班上班時進行。
2.根據權利1所述的一種硅片圓片切割前準備工藝，其特征在于，在進行硅片圓片切割前準備工藝時，操作員必須戴上防靜電手套、指套、防靜電腕帶。
3.根據權利1所述的一種硅片圓片切割前準備工藝，其特征在于，在步驟4中，1純水發生處阻值要大于14 MΩ·cm，純水PH值正常范圍為6-8。
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