[發(fā)明專利]一種導(dǎo)電銀漿厚度測(cè)量方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811219595.4
• 申請(qǐng)日: 2018-10-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111076689A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐志華;葛建秋;張彥;陳玲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江陰蘇陽(yáng)電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G01B21/08
• 分類號(hào): G01B21/08
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本發(fā)明，一種導(dǎo)電銀漿厚度測(cè)量方法，主要是針對(duì)裝片完成后，對(duì)導(dǎo)電銀漿的厚度進(jìn)行檢測(cè)，以確保其厚度符合設(shè)計(jì)要求，以此保證最終產(chǎn)品的質(zhì)量。通過(guò)對(duì)芯片4個(gè)邊角進(jìn)行劃分測(cè)量區(qū)域，分別測(cè)量芯片表面到承載座的高度，再減去芯片的厚度，以此間接得到所述區(qū)域?qū)щ娿y漿的厚度尺寸；將相關(guān)測(cè)量尺寸與設(shè)計(jì)許用值進(jìn)行比對(duì)，以此確認(rèn)芯片的裝片效果，最終確保裝片質(zhì)量的穩(wěn)定、可靠，提高成品率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片封裝行業(yè)，具體涉及裝片時(shí)對(duì)導(dǎo)電銀漿的厚度進(jìn)行測(cè)量的方法。

背景技術(shù)

隨著科技發(fā)展，電子產(chǎn)業(yè)突飛猛進(jìn)，各種集成、控制電路需求急劇增長(zhǎng)，對(duì)芯片封裝的需求也增長(zhǎng)迅猛。

芯片封裝是指，將精密的半導(dǎo)體集成電路芯片安裝到框架上，然后利用引線將芯片與框架引腳相連接，最后用環(huán)氧樹(shù)脂將半導(dǎo)體集成電路芯片固封起來(lái)，外界通過(guò)引腳與內(nèi)部的芯片進(jìn)行信號(hào)傳輸。封裝主要是對(duì)精密的半導(dǎo)體集成電路芯片進(jìn)行固封，使半導(dǎo)體集成電路芯片在發(fā)揮作用的同時(shí)，不受外界濕度、灰塵的影響，同時(shí)提供良好的抗機(jī)械振動(dòng)或沖擊保護(hù)，提高半導(dǎo)體集成電路芯片的適用性。同時(shí)封裝在金屬框架上，增加了散熱面積，提高了芯片的運(yùn)行可靠性。

裝片，作為芯片封裝中一個(gè)重要的環(huán)節(jié)，即利用粘結(jié)劑將細(xì)小的半導(dǎo)體集成電路芯片初步固定到框架承載座上，為后續(xù)的引線焊接及固封提供支撐。

在裝片工序中，一般采用導(dǎo)電銀漿Epoxy Adhesive Composition將芯片Die固定到承載座Die Pad上。導(dǎo)電銀漿一般采用環(huán)氧樹(shù)脂填充銀Ag粉制成，能夠很好的起到導(dǎo)電、散熱的作用。裝片操作時(shí)，先將一定量的導(dǎo)電銀漿滴到承載座上，然后將芯片粘帖到相應(yīng)位置，進(jìn)行壓平，但芯片與承載座之間的導(dǎo)電銀漿厚度如果不均勻、平整的話，會(huì)對(duì)芯片的運(yùn)行產(chǎn)生一定的影響，故在生產(chǎn)過(guò)程中需要對(duì)裝片完成后的半成品抽檢相應(yīng)的導(dǎo)電銀漿厚度，以確認(rèn)是否均勻、平整，且厚度符合要求，以充分保證芯片運(yùn)行時(shí)可靠、穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種導(dǎo)電銀漿厚度測(cè)量方法，以彌補(bǔ)現(xiàn)有測(cè)量過(guò)程中的不足。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種導(dǎo)電銀漿厚度測(cè)量方法，步驟如下：

步驟1、將裝片完成的半成品，放置到測(cè)量臺(tái)上；

步驟2、根據(jù)芯片的4個(gè)角落劃分為4個(gè)測(cè)量區(qū)域A、B、C、D，分別測(cè)量芯片表面相對(duì)于承載座表面的尺寸，分別為L(zhǎng)A、LB、LC、LD；

步驟3、將上述4個(gè)尺寸，分別減去芯片厚度LDie，得到實(shí)際的導(dǎo)電銀漿厚度值la、lb、lc、ld；

步驟4、將導(dǎo)電銀漿厚度實(shí)際值與許用值進(jìn)行比對(duì)，判斷導(dǎo)電銀漿厚度實(shí)際值是否滿足設(shè)計(jì)需求；

步驟5、完成測(cè)量，將半成品放回生產(chǎn)工位。

優(yōu)選的，上述步驟4中，導(dǎo)電銀漿許用厚度的標(biāo)準(zhǔn)為：

其中，當(dāng)芯片短邊3.5mm時(shí)，導(dǎo)電銀漿許用厚度為10~40μm；

當(dāng)芯片短邊≥3.5mm時(shí)，導(dǎo)電銀漿許用厚度為15~30μm。

本發(fā)明的一種導(dǎo)電銀漿厚度測(cè)量方法，用于針對(duì)芯片封裝中的裝片工序。本發(fā)明的有益效果是：通過(guò)分別測(cè)量芯片的4個(gè)邊腳的高度，來(lái)確定相應(yīng)的導(dǎo)電銀漿實(shí)際厚度，進(jìn)行分別對(duì)比，以此來(lái)確定芯片裝片所用導(dǎo)電銀漿厚度是否滿足設(shè)計(jì)需要。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的導(dǎo)電銀漿厚度測(cè)量示意圖；

圖2為本發(fā)明的導(dǎo)電銀漿厚度測(cè)量作業(yè)時(shí)測(cè)量點(diǎn)的分布示意圖；

圖3為本發(fā)明的導(dǎo)電銀漿厚度測(cè)量作業(yè)時(shí)實(shí)際測(cè)量尺寸示意圖；

其中，1為芯片；2為承載座；3為導(dǎo)電銀漿。

具體實(shí)施方式