[發明專利]三相位單軌預充電邏輯裝置

有效

• 申請號: 201811219004.3
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN109474415B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 趙毅強;蔡里昂;葉茂;馬浩誠;辛睿山
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: H04L9/00
• 分類號: H04L9/00
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 劉國威

1.一種三相位單軌預充電邏輯裝置，其特征在于，包括PMOS晶體管P1，NMOS晶體管N1，NMOS晶體管N2，NMOS晶體管N3，NMOS晶體管N4以及起到電荷存儲作用的NMOS晶體管C1；PMOS晶體管P1的源極接電源，柵極接時鐘信號CLK，漏極和NMOS晶體管N1和N4的漏極以及輸出節點O公共相連接；NMOS晶體管N1柵極接輸入信號I，源極接NMOS晶體管N2漏極；NMOS晶體管N2柵極接時鐘信號CLK，源極與NMOS晶體管N3漏極和NMOS晶體管C1柵極公共連接；NMOS晶體管N3柵極接放電信號DCH，源極接地； NMOS晶體管N4柵極接放電信號DCH，源極接地； NMOS晶體管C1源極與漏極相連并共同接地；

預充電階段：CLK信號為低電位，DCH信號為低電位，此時PMOS晶體管P1導通，使得輸出節點O被預充電到高電位，在CLK為低電平時輸入信號I為高電平，此時NMOS晶體管N1導通，使得下拉網絡中的內部節點全部預充到高電位，NMOS晶體管N2關斷，使的下拉網絡中的內部節點上的電荷不被泄放掉，同理NMOS晶體管N3和N4關斷，防止輸出節點O和其余內部節點放電；

求值階段：CLK信號為高電位，DCH信號仍為低電位，此時PMOS管P1關斷，防止電源對內部節點充電，NMOS晶體管N1柵極接收輸入信號I，控制N1的通斷，實現INV單元的功能，當輸入信號I為1時，下拉網絡導通，輸出0信號，而當輸入信號為0時，下拉網絡關斷，輸出保持高電位，NMOS晶體管N2導通，使得下拉網絡中的電荷泄放到電容C1上，而由于NMOS晶體管N3關斷，電容C1上的電荷被存儲下來而不直接泄放到地上，同時NMOS晶體管N4關斷，保證輸出節點O上的電荷不被泄放掉；

放電階段：CLK信號為高電位，DCH信號為高電位，此時PMOS晶體管P1關斷，防止電源對內部節點充電，NMOS晶體管N4導通，使得輸出節點O被下拉到低電位，同時輸入信號I進NMOS晶體管N1柵極，在DCH信號為高電位時，NMOS晶體管N1關斷，同時NMOS晶體管N2和N3導通，使存儲在電容C1上的電荷泄放到地上，從而實現所有內部節點的放電操作。