[發(fā)明專利]一種硅片晶圓激光切割工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811218203.2 | 申請日: | 2018-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN111081635A | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐志華;葛建秋;張彥 | 申請(專利權(quán))人: | 江陰蘇陽電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;B23K26/38;B23K26/60 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214400 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 硅片 激光 切割 工藝 | ||
本發(fā)明涉及芯片劃片行業(yè),具體涉及一種硅片晶圓激光切割工藝,包括以下步驟:準備工作:穿好工作衣、工作鞋,帶好工作帽和工作手套,清掃工作場地,整理劃片設(shè)備以及劃片工具;對來料進行檢驗:檢驗內(nèi)容包括,芯片無碎裂現(xiàn)象;劃片操作。本發(fā)明的一種硅片晶圓激光切割工藝,切割過程確保走刀位置的準確性,和切割的精度,操作簡單,切割速度快,誤差極小。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及芯片劃片行業(yè),具體涉及一種硅片晶圓激光切割工藝。
背景技術(shù)
隨著科技發(fā)展,電子產(chǎn)業(yè)突飛猛進,各種集成、控制電路需求急劇增長,對芯片封裝的需求也增長迅猛。
芯片封裝是指,將精密的半導(dǎo)體集成電路芯片安裝到框架上,然后利用引線將芯片與框架引腳相連接,最后用環(huán)氧樹脂將半導(dǎo)體集成電路芯片固封起來,外界通過引腳與內(nèi)部的芯片進行信號傳輸。封裝主要是對精密的半導(dǎo)體集成電路芯片進行固封,使半導(dǎo)體集成電路芯片在發(fā)揮作用的同時,不受外界濕度、灰塵的影響,同時提供良好的抗機械振動或沖擊保護,提高半導(dǎo)體集成電路芯片的適用性。同時封裝在金屬框架上,增加了散熱面積,提高了芯片的運行可靠性。
硅片在進行切割過程中,需要確保切割的精度和切刀走刀的準確性。
現(xiàn)需要一種硅片晶圓激光切割工藝,以期可以解決上述技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種硅片晶圓激光切割工藝,以彌補現(xiàn)有測量過程中的不足。
為了達到上述目的,本發(fā)明提供了一種硅片晶圓激光切割工藝,步驟如下:
(1)準備工作:穿好工作衣`工作鞋,帶好工作帽和工作手套,清掃工作場地,整理劃片設(shè)備以及劃片工具;
(2)對來料進行檢驗:檢驗內(nèi)容包括,芯片無碎裂現(xiàn)象;
(3)劃片操作:具體步驟依次包括,
A按“激光劃片機操作規(guī)程”開啟激光劃片機,戴上激光防護眼鏡;
B將待切割芯片背面向上放在劃片機平臺上,緊貼著基準靠山;
C啟動切割程序,使激光劃片機處于工作狀態(tài),調(diào)節(jié)激光器上微動旋鈕,使激光的焦點上下移動,當(dāng)激光打在芯片上散發(fā)的火花絕大部分向上竄并聽到清脆的切割聲音時即焦距調(diào)好;
D調(diào)節(jié)切割機電流旋鈕調(diào)節(jié)電流強度,使切割的硅片易于用手掰開;
E調(diào)節(jié)好以后即可以進行劃片;
F對劃好的芯片進行逐片自檢,使劃出的芯片基本符合尺寸要求。
優(yōu)選地,在步驟F中,誤差不超過0.2毫米。
優(yōu)選地,在步驟中,在步驟2中,每片不超過2個大于1mm的缺角或者缺塊,每片細柵斷線不超過1根,斷線長度不超過1毫米。
本發(fā)明的一種硅片晶圓激光切割工藝,切割過程確保走刀位置的準確性,和切割的精度,操作簡單,切割速度快,誤差極小。
具體實施方式
本發(fā)明的目的是提供一種硅片晶圓激光切割工藝,以彌補現(xiàn)有測量過程中的不足。
本發(fā)明的目的是提供一種硅片晶圓激光切割工藝,以彌補現(xiàn)有測量過程中的不足。
為了達到上述目的,本發(fā)明提供了一種硅片晶圓激光切割工藝,步驟如下:
(1)準備工作:穿好工作衣`工作鞋,帶好工作帽和工作手套,清掃工作場地,整理劃片設(shè)備以及劃片工具;
(2)對來料進行檢驗:檢驗內(nèi)容包括,芯片無碎裂現(xiàn)象;
(3)劃片操作:具體步驟依次包括,
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





