[發明專利]一種硅片晶圓激光切割工藝

在審

• 申請號: 201811218203.2
• 申請日: 2018-10-19
• 公開（公告）號: CN111081635A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 徐志華;葛建秋;張彥
• 申請（專利權）人: 江陰蘇陽電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B23K26/38;B23K26/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅片晶圓激光切割工藝，其特征在于，包括如下步驟：

（1）準備工作：穿好工作衣`工作鞋，帶好工作帽和工作手套，清掃工作場地，整理劃片設備以及劃片工具；

（2）對來料進行檢驗：檢驗內容包括，芯片無碎裂現象；

（3）劃片操作：具體步驟依次包括，

A按“激光劃片機操作規程”開啟激光劃片機,戴上激光防護眼鏡；

B將待切割芯片背面向上放在劃片機平臺上，緊貼著基準靠山；

C啟動切割程序，使激光劃片機處于工作狀態，調節激光器上微動旋鈕，使激光的焦點上下移動，當激光打在芯片上散發的火花絕大部分向上竄并聽到清脆的切割聲音時即焦距調好；

D調節切割機電流旋鈕調節電流強度，使切割的硅片易于用手掰開；

E調節好以后即可以進行劃片；

F對劃好的芯片進行逐片自檢，使劃出的芯片基本符合尺寸要求。

2.根據權利1所述的一種硅片晶圓激光切割工藝，其特征在于，在步驟F中，誤差不超過0.2毫米。

3.根據權利1所述的一種硅片晶圓激光切割工藝，其特征在于，在步驟中，在步驟2中，每片不超過2個大于1mm的缺角或者缺塊，每片細柵斷線不超過1根，斷線長度不超過1毫米。