[發明專利]一種晶圓的清洗方法、裝置、設備、介質及電子設備在審
| 申請號: | 201811215937.5 | 申請日: | 2018-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN111081586A | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 陳琦南 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 清洗 方法 裝置 設備 介質 電子設備 | ||
1.一種晶圓的清洗設備,其特征在于,包括:第一供液管路、第一控制閥門、第二供液管路、第二控制閥門、混液管路、混液槽以及液體pH傳感器;所述第一供液管路和第二供液管路連通于所述混液管路,所述第一供液管路設置有所述第一控制閥門,所述第二供液管路設置有所述第二控制閥門,所述混液管路連通于所述混液槽的入液口,所述混液槽的出液口連接晶圓沖洗管道,并設置有所述液體pH傳感器。
2.根據權利要求1所述晶圓的清洗設備,其特征在于,所述第一供液管路用于導流去離子水,并通過所述第一控制閥門用于控制所述去離子水的流量在預設的第一時間段內從預設的第一流量提升至預設的第二流量。
3.根據權利要求1所述晶圓的清洗設備,其特征在于,所述第二供液管路用于導流顯影液,并通過所述第二控制閥門用于控制所述顯影液的流量在預設的第一時間段內從預設的第二流量降低至預設的第一流量。
4.根據權利要求1所述的晶圓的清洗設備,其特征在于,所述混液管路將所述第一供液管路的去離子水和所述第二供液管路的顯影液輸送到所述混液槽。
5.根據權利要求1所述晶圓的清洗設備,其特征在于,所述混液槽用于混合所述去離子水和所述顯影液,將混合后的液體通過晶圓清洗管道清洗所述晶圓。
6.根據權利要求1所述晶圓的清洗設備,其特征在于,所述pH傳感器檢測所述混液槽的出液口液體的pH值,并根據所檢測到的pH值控制所述第一控制閥門和所述第二控制閥門,使所述混液槽的出液口液體的pH值從13.2按照預設降低速率降低至7。
7.根據權利要求1所述晶圓的清洗設備,其特征在于,所述第一控制閥門和所述第二控制閥門的流量控制范圍為0ml/min至3000ml/min。
8.根據權利要求1所述的晶圓的清洗設備,其特征在于,所述混液槽的容量為1ml至1000ml。
9.一種晶圓的清洗方法,其特征在于,包括:
向混液槽供給去離子水和顯影液;
所述去離子水和顯影液在所述混液槽中進行混合,獲得混合液以及所述混合液的pH值;
基于所述混合液的pH值分別控制所述去離子水和顯影液向所述混液槽供給的流量,獲得預設pH值的混合液;
將所述預設pH值的混合液向晶圓輸送,清洗所述晶圓。
10.根據權利要求9所述晶圓的清洗方法,其特征在于,所述基于所述混合液的pH值分別控制所述去離子水和顯影液向所述混液槽供給的流量,包括:
基于所述混合液的pH值控制去離子水的流量在預設的第一時間段內從預設的第一流量升高至預設的第二流量,其中,所述第二流量大于所述第一流量。
11.根據權利要求10所述晶圓的清洗方法,其特征在于,所述控制去離子水的流量在預設的第一時間段內從預設的第一流量提升至預設的第二流量通過公式:
Flow(T0~T1)=X1/(T1-T0)*(T-T0)進行控制;其中,
Flow表示所述第一時間段內去離子水的流量變化,T0表示所述第一時間段的起始時刻,T1表示所述第一時間段的終止時刻,X1表示所述去離子水的目標流量,T表示清洗制程的總時間。
12.根據權利要求10所述晶圓的清洗方法,其特征在于,所述方法還包括:
基于所述混合液的pH值控制所述顯影液的流量在預設的第一時間段內從預設的第二流量降低至預設的第一流量,其中,所述第二流量大于所述第一流量。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





