[發明專利]一種晶圓的清洗方法、裝置、設備、介質及電子設備在審
| 申請號: | 201811215937.5 | 申請日: | 2018-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN111081586A | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 陳琦南 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁禮君;闞梓瑄 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 清洗 方法 裝置 設備 介質 電子設備 | ||
本發明實施例提供了一種晶圓的清洗方法、裝置、設備、介質及電子設備,包括:向混液槽供給去離子水和顯影液;去離子水和顯影液在混液槽中進行混合,獲得混合液以及混合液的pH值;基于混合液的pH值分別控制去離子水和顯影液向混液槽供給的流量,獲得預設pH值的混合液;將預設pH值的混合液向晶圓輸送清洗晶圓。本發明實施例的技術方案能夠在去離子水的路徑中加入顯影液,并加上自動流量控制閥,在去離子水清洗流程中利用流量比例控制加入顯影液來降低酸堿震蕩的影響,將清洗液從13.2逐漸降至7,而不會產生瞬間的變化,解決了晶圓的衛星狀缺陷。
技術領域
本發明涉及半導體存儲器技術領域,具體而言,涉及一種晶圓的清洗方法及一種晶圓的清洗裝置。
背景技術
目前,衛星狀缺陷普遍存在于光刻顯影后,其發生的原因是未曝光區的光刻膠接觸顯影液后在去離子水清洗時因為顯影液為pH值13.2,而去離子水pH值7,如圖1所示,造成了酸咸震蕩,使光刻膠產生析出物附著于表面,如圖2所示,造成以打開的洞被回填,影響晶圓的良品率。
需要說明的是,在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本發明的背景的理解,因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本發明實施例的目的在于提供一種晶圓的清洗方法以及一種晶圓的清洗裝置,進而至少在一定程度上克服由于相關技術的限制和缺陷而導致的晶圓在清洗過程中酸堿震蕩產生衛星狀缺陷等一個或者多個問題。
本發明實施例的其他特性和優點將通過下面的詳細描述變得顯然,或部分地通過本發明的實踐而習得。
根據本發明實施例的第一方面,提供一種晶圓的清洗設備,包括:第一供液管路、第一控制閥門、第二供液管路、第二控制閥門、混液管路、混液槽以及液體pH傳感器;所述第一供液管路和第二供液管路連通于所述混液管路,所述第一供液管路設置有所述第一控制閥門,所述第二供液管路設置有所述第二控制閥門,所述混液管路連通于所述混液槽的入液口,所述混液槽的出液口連接晶圓沖洗管道,并設置有所述液體pH傳感器。
在本發明的一個實施例中,上述第一供液管路用于導流去離子水,并通過所述第一控制閥門用于控制所述去離子水的流量在預設的第一時間段內從預設的第一流量提升至預設的第二流量。
在本發明的一個實施例中,上述第二供液管路用于導流顯影液,并通過所述第二控制閥門用于控制所述顯影液的流量在預設的第一時間段內從預設的第二流量降低至預設的第一流量。
在本發明的一個實施例中,上述混液管路將所述第一供液管路的去離子水和所述第二供液管路的顯影液輸送到所述混液槽。
在本發明的一個實施例中,上述混液槽用于混合所述去離子水和所述顯影液,將混合后的液體通過晶圓清洗管道清洗所述晶圓。
在本發明的一個實施例中,上述pH傳感器檢測所述混液槽的出液口液體的pH值,并根據所檢測到的pH值控制所述第一控制閥門和所述第二控制閥門,使所述混液槽的出液口液體的pH值從13.2按照預設降低速率降低至7。
在本發明的一個實施例中,上述第一控制閥門和所述第二控制閥門的流量控制范圍為0ml/min至3000ml/min。
在本發明的一個實施例中,上述混液槽的容量為1ml至1000ml。
根據本發明實施例的第二方面,提供一種晶圓的清洗方法,包括:
向混液槽供給去離子水和顯影液;
所述去離子水和顯影液在所述混液槽中進行混合,獲得混合液以及所述混合液的pH值;
基于所述混合液的pH值分別控制所述去離子水和顯影液向所述混液槽供給的流量,獲得預設pH值的混合液;
將所述預設pH值的混合液向晶圓輸送清洗所述晶圓。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





