[發明專利]調平裝置及調平方法、半導體處理設備

有效

• 申請號: 201811215894.0
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN111074238B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 王帥偉;蘭云峰;王勇飛
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

本發明公開了一種調平裝置及其調平方法、半導體處理設備。該調平裝置，用于對基座相對于腔室的平行度和同軸度進行調節，其包括調平工裝，調平工裝包括水平安裝部、豎直安裝部以及連接水平安裝部與豎直安裝部的豎直連接部；其中，水平安裝部的下表面用于與腔室的上表面貼合，豎直安裝部的下表面與支撐件的安裝面貼合，以使得基座與腔室的平行度滿足預設要求，豎直連接部貫穿于腔室的安裝孔中，豎直連接部的外周壁與安裝孔的內周壁相配合，使得基座與腔室的同軸度滿足預設要求。采用調平工裝對基座與腔室進行調平、調對中，可以極大簡化基座調平調對中的工藝，并且還能夠極大地提高基座的安裝精度，從而可以有效保證成膜均勻性，提高工藝良率。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種調平裝置及調平方法、一種半導體處理設備。

背景技術

一般地，在半導體行業中，隨著電子器件的幾何尺寸不斷減小以及器件的密集度不斷提高，特征尺寸和高寬比變得越來越有挑戰性。原子層沉積(Atomic?layerdeposition，ALD)就是為了應對這種挑戰而提出的一種新的薄膜沉積方法。原子層沉積以其獨特的自限制性生長模式，使其具有薄膜生長厚度精確可控、優異的保形性、成分可控等優點，越來越受到全世界科技工作者的關注。

一般地，ALD設備在反應腔室內用于放置襯底的為不同材質的基座，其一般固定在升降機構中，由電機帶動絲杠等傳動機構控制其工藝位置；機械手將襯底放置于基座上表面后，控制腔室環境后便可以進行成膜工藝。然而，基座的位置精度會直接影響成膜的質量。

相關技術中，為了實現基座的調平、調對中，一般先將基座固定于升降基座上，然后依靠安裝于升降機架一套較為復雜的調平機構上進行操作。調平機構較為復雜，安裝、操作技術要求水平高，不僅影響安裝效率，而且不同的人員操作安裝效果不同，難以保證質量。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種調平裝置及調平方法、半導體處理設備。

為了實現上述目的，本發明的第一方面，提供了一種調平裝置，用于對基座相對腔室的平行度和同軸度進行調節，所述調平裝置包括調平工裝，所述調平工裝包括水平安裝部、豎直安裝部以及連接所述水平安裝部與所述豎直安裝部的豎直連接部；其中，

所述水平安裝部的下表面用于與腔室的上表面相貼合，所述豎直安裝部的下表面用于與支撐所述基座的支撐件的安裝面相貼合，以使得所述基座與所述腔室的平行度滿足預設要求；

所述豎直連接部貫穿于所述腔室的安裝孔中，并且，所述豎直連接部的外周壁與所述安裝孔的內周壁相配合，以使得所述基座與所述腔室的同軸度滿足預設要求。

可選地，所述豎直安裝部包括與所述豎直連接部連接的第一安裝部以及自所述第一安裝部向外側延伸形成的第二安裝部，所述第二安裝部的下表面與所述支撐件的安裝面相貼合。

可選地，所述調平裝置還包括壓環和緊固件，所述壓環疊置在所述第二安裝部的上表面，所述緊固件依次穿過所述壓環、所述第二安裝部至所述支撐件內，以使得所述第二安裝部的下表面與所述支撐件的安裝面相貼合。

可選地，所述調平裝置還包括機架和至少一個鎖緊組件，所述機架通過所述鎖緊組件固定于所述腔室的下表面上。

可選地，所述鎖緊組件包括雙頭螺栓、螺母和緊固螺釘；其中，

所述雙頭螺栓的一端與所述腔室的下表面連接，另一端通過所述螺母固定在所述機架上；

所述緊固螺釘位于所述雙頭螺栓的一側，所述緊固螺釘穿過所述機架至所述腔室內。

可選地，所述鎖緊組件包括雙頭螺柱和兩個鎖緊螺母；其中，

所述雙頭螺柱的一端穿過所述機架至所述腔室內，所述雙頭螺柱的另一端延伸出所述機架外部；