[發明專利]調平裝置及調平方法、半導體處理設備有效
| 申請號: | 201811215894.0 | 申請日: | 2018-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN111074238B | 公開(公告)日: | 2023-05-16 |
| 發明(設計)人: | 王帥偉;蘭云峰;王勇飛 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 平裝 平方 半導體 處理 設備 | ||
1.一種調平裝置,應用于半導體處理設備,所述半導體處理設備包括腔室以及安裝在所述腔室上的基座,所述調平裝置用于對所述基座相對于所述腔室的平行度和同軸度進行調節,其特征在于,所述調平裝置包括調平工裝,所述調平工裝包括水平安裝部、豎直安裝部以及連接所述水平安裝部與所述豎直安裝部的豎直連接部;其中,
所述水平安裝部的下表面用于與所述腔室的下壁的上表面相貼合,所述豎直安裝部的下表面用于與支撐所述基座的支撐件的安裝面相貼合,以用于使得所述支撐件的安裝面與所述腔室的下壁的上表面的平行度滿足預設要求;
所述豎直連接部貫穿于所述腔室的安裝孔中,并且,所述豎直連接部的外周壁與所述安裝孔的內周壁相配合,以使得所述調平工裝與所述安裝孔的同軸度滿足預設要求;
所述調平裝置還包括機架和至少一個鎖緊組件,所述機架與所述支撐件相連,且在所述水平安裝部的下表面與所述腔室的下壁的上表面相貼合以及所述豎直安裝部的下表面與所述支撐件的安裝面相貼合的情況下,所述至少一個鎖緊組件將所述機架固定在所述腔室的下表面上,以鎖定所述支撐件的位置;
所述調平裝置還包括壓環和緊固件,所述壓環用于壓設在所述豎直安裝部的鄰近所述支撐件的端部,所述緊固件用于依次穿過所述壓環、所述豎直安裝部的鄰近所述支撐件的端部至所述支撐件內,以使得所述豎直安裝部的下表面與所述支撐件的安裝面相貼合;所述壓環和所述緊固件還用于在所述調平工裝被拆卸之后,將所述基座固定于所述支撐件的同一位置。
2.根據權利要求1所述的調平裝置,其特征在于,所述豎直安裝部包括與所述豎直連接部連接的第一安裝部以及自所述第一安裝部向外側延伸形成的第二安裝部,所述第二安裝部的下表面與所述支撐件的安裝面相貼合。
3.根據權利要求2所述的調平裝置,其特征在于,所述壓環疊置在所述第二安裝部的上表面,所述緊固件依次穿過所述壓環、所述第二安裝部至所述支撐件內,以使得所述第二安裝部的下表面與所述支撐件的安裝面相貼合。
4.根據權利要求1所述的調平裝置,其特征在于,所述鎖緊組件包括雙頭螺栓、螺母和緊固螺釘;其中,
所述雙頭螺栓的一端與所述腔室的下表面連接,另一端通過所述螺母固定在所述機架上;
所述緊固螺釘位于所述雙頭螺栓的一側,所述緊固螺釘穿過所述機架至所述腔室內。
5.根據權利要求1所述的調平裝置,其特征在于,所述鎖緊組件包括雙頭螺柱和兩個鎖緊螺母;其中,
所述雙頭螺柱的一端穿過所述機架至所述腔室內,所述雙頭螺柱的另一端延伸出所述機架外部;
兩個所述鎖緊螺母分別旋設在所述雙頭螺柱的位于所述機架兩側的部分。
6.根據權利要求1至5中任意一項所述的調平裝置,其特征在于,
所述水平安裝部的下表面與所述腔室的下壁的上表面的平面度小于0?.1mm;和/或,
所述豎直安裝部的下表面與所述水平安裝部的下表面的平行度小于0?.2mm。
7.一種基座的調平方法,其特征在于,采用權利要求1至6中任意一項所述的調平裝置,
所述調平方法包括:
步驟S110、利用所述調平工裝對所述支撐件的安裝面相對于所述腔室的平行度和同軸度進行調節,以使得所述支撐件的安裝面與所述腔室的平行度和同軸度滿足預設要求;
步驟S120、將基座穿過所述安裝孔至與所述支撐件的安裝面抵接,實現對所述基座的調平。
8.根據權利要求7所述的調平方法,其特征在于,步驟S110具體包括:
所述豎直連接部貫穿于所述腔室的安裝孔中,并且,所述豎直連接部的外周壁與所述安裝孔的內周壁相配合,以使得所述豎直連接部與所述腔室的同軸度滿足預設要求;
所述水平安裝部的下表面與腔室的下壁的上表面相貼合,所述豎直安裝部的下表面與所述支撐件的安裝面相貼合,以使得所述支撐件的安裝面與所述腔室的平行度滿足預設要求。
9.一種半導體處理設備,其特征在于,包括權利要求1至6中任意一項所述的調平裝置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





