[發明專利]納米粒子、顯示基板的制備方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201811215851.2
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN109378395B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 陳卓;梅文海
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方技術開發有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 劉偉;蔡麗

本發明涉及顯示領域，特別涉及納米粒子、顯示基板的制備方法及顯示裝置。所述納米粒子包括納米顆粒，以及連接于納米顆粒表面的第一配體和第二配體，所述第一配體具有堿溶性，所述第二配體受熱后可發生交聯。所述顯示基板的制備方法為：在基板上形成納米粒子層；納米粒子層上涂布光刻膠，前烘處理后，采用掩膜板對光刻膠進行曝光；進行顯影處理，光刻膠未保留區域的光刻膠被完全去除，暴露出的納米粒子層溶于顯影液中；進行后烘處理，所述光刻膠保留區域覆蓋的納米粒子的第二配體之間發生交聯反應，固定在所述基板上；剝離光刻膠，完成納米粒子層的圖案化。所述納米粒子可以與光刻工藝相結合，達到納米粒子圖案化的高分辨率。

技術領域

本發明涉及顯示領域，特別涉及一種納米粒子、顯示基板的制備方法及顯示裝置。

背景技術

量子點(Quantum Dots，QDs)，又稱為納米晶，是一種由II－VI族或III－V族元素構成的納米顆粒。量子點的粒徑一般介于1～20nm之間，由于電子和空穴被量子限域，連續的能帶結構變成分立的能級結構，受激后可以發射熒光。

隨著量子點制備技術的深入發展，量子點的穩定性以及發光效率不斷提升，量子點發光二極管(Quantum Light Emitting Diode，QLED)的研究不斷深入，QLED在顯示領域的應用前景日漸光明。但是，目前QLED的生成效率還沒有達到量產水平，其中最重要的原因是QLED的高分辨率圖案化技術目前還沒有取得突破。

現有技術制造圖案化的類似量子點的納米粒子時，由于納米粒子的無機納米粒子特性，無法通過蒸鍍成膜并圖案化的方法制作圖案化的納米粒子。

現有技術一般通過噴墨打印法制作圖案化的納米粒子，而采用這種方法很難達到較高的分辨率。現有技術為了提高產品的分辨率，采用光刻法制作圖案化的納米粒子，由于光刻法包括曝光過程，而曝光過程容易對納米粒子的性能造成影響。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：提供一種納米粒子、顯示基板的制備方法及顯示裝置。所述納米粒子可以與光刻工藝相結合，達到納米粒子圖案化的高分辨率。

本發明公開了一種納米粒子，包括納米顆粒，以及

連接于納米粒子表面的第一配體和第二配體，

所述第一配體具有堿溶性，所述第二配體受熱后可發生交聯。

優選地，所述納米粒子為量子點，所述量子點包括無機核/殼結構的納米顆粒，所述第一配體和第二配體連接于所述無機核/殼結構納米顆粒的表面。

優選地，所述第一配體包括羧基、酚羥基、酯基、氰基、9-芴甲氧羰基、和C1～C20的鹵代烴基中的一種或多種。

優選地，所述第二配體包括烴基、炔基和環氧基中的一種或多種。

優選地，所述第一配體的摩爾數多于第二配體的摩爾數。

本發明公開了一種顯示基板的制備方法，包括以下步驟：

步驟1：將上述技術方案所述的納米粒子涂布在基板上，形成納米粒子層；

步驟2：在所述納米粒子層上涂布正性光刻膠，前烘處理后，采用掩膜板對所述正性光刻膠進行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區域和光刻膠保留區域；

步驟3：進行顯影處理，光刻膠未保留區域的光刻膠被完全去除，暴露出的納米粒子層溶于堿性顯影液中，脫離所述基板后被去除；

步驟4：進行后烘處理，所述光刻膠保留區域覆蓋的納米粒子的第二配體之間發生交聯反應，所述光刻膠保留區域覆蓋的納米粒子層固定在所述基板上；

步驟5：剝離所述光刻膠保留區域的光刻膠，完成納米粒子層的圖案化。

優選地，所述納米粒子為量子點。