[發明專利]納米粒子、顯示基板的制備方法及顯示裝置有效
| 申請號: | 201811215851.2 | 申請日: | 2018-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN109378395B | 公開(公告)日: | 2021-08-06 |
| 發明(設計)人: | 陳卓;梅文海 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方技術開發有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 劉偉;蔡麗 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 粒子 顯示 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種納米粒子,其特征在于,包括納米顆粒,以及
連接于所述納米顆粒表面的第一配體和第二配體;
所述第一配體具有堿溶性,所述第二配體受熱后可發生交聯;
所述第一配體包括酚羥基、酯基、氰基、9-芴甲氧羰基、和C1~C20的鹵代烴基中的一種或多種。
2.根據權利要求1所述的納米粒子,其特征在于,所述納米粒子為量子點,所述量子點包括無機核/殼結構的納米顆粒,所述第一配體和第二配體連接于所述無機核/殼結構納米顆粒的表面。
3.根據權利要求1或2所述的納米粒子,其特征在于,所述第二配體包括烴基、炔基和環氧基中的一種或多種。
4.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:將權利要求1~3任意一項所述的納米粒子涂布在基板上,形成納米粒子層;
步驟2:在所述納米粒子層上涂布正性光刻膠,前烘處理后,采用掩膜板對所述正性光刻膠進行曝光,使光刻膠形成光刻膠未保留區域和光刻膠保留區域;
步驟3:進行顯影處理,光刻膠未保留區域的光刻膠被完全去除,暴露出的納米粒子層溶于堿性顯影液中,脫離所述基板后被去除;
步驟4:進行后烘處理,所述光刻膠保留區域覆蓋的納米粒子的第二配體之間發生交聯反應,所述光刻膠保留區域覆蓋的納米粒子層固定在所述基板上;
步驟5:剝離所述光刻膠保留區域的光刻膠,完成納米粒子層的圖案化。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述納米粒子為量子點。
6.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,采用旋涂法、夾縫式擠壓型涂布法、刮刀涂布法中的至少一種方式將所述量子點涂布在基板上。
7.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,重復執行步驟1至步驟5,得到具有多種顏色的對應于多個發光亞像素的圖案化的量子點層。
8.根據權利要求4~7任意一項所述的制備方法,其特征在于,剝離所述光刻膠保留區域的光刻膠時,采用的剝離液為極性有機溶液。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求4~8中任意一項所述方法制備的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





