[發明專利]半導體封裝結構與其制造方法在審
| 申請號： | 201811215314.8 | 申請日： | 2013-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN109449129A | 公開（公告）日： | 2019-03-08 |
| 發明（設計）人： | 粘為裕;黃國峰 | 申請（專利權）人： | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/34 | 分類號： | H01L23/34;H01L23/31 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 李玉鎖;章侃銥 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 加熱層 接墊 半導體封裝結構 電磁遮蔽層 基板 絕緣層 電性連接 裝設 制造 | ||
1.一種半導體封裝結構，其特征在于該半導體封裝結構包括：
基板，包括第一接墊以及第二接墊，該第一接墊以及該第二接墊配置于該基板的側面；
至少一電子元件，裝設于該基板上；
加熱層，位于該電子元件的四周及上方，該加熱層提供熱能至該電子元件，該加熱層與該第一接墊以及該第二接墊電性連接，且該加熱層與該電子元件之間形成空腔；以及
電磁遮蔽層，位于該加熱層的外側；
絕緣層，位于該加熱層與該電磁遮蔽層之間。
2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于該第一接墊連接外部電源，而該第二接墊為接地接墊。
3.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于該半導體封裝結構還包括傳熱層，該傳熱層位于該電子元件上方，并且與該電子元件以及該加熱層接觸。
4.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于該電磁遮蔽層為金屬蓋。
5.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于該電磁遮蔽層為導電薄膜。
6.一種半導體封裝結構，其特征在于該半導體封裝結構包括：
基板，包括第一接墊以及第二接墊；
至少一電子元件，裝設于該基板上；
加熱層，位于該電子元件的四周及上方，該加熱層提供熱能至該電子元件，該加熱層與該第一接墊以及該第二接墊電性連接，且該加熱層與該電子元件之間形成空腔；以及
電磁遮蔽層，位于該加熱層的外側；
絕緣層，位于該加熱層與該電磁遮蔽層之間。
7.如權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于該半導體封裝結構還包括模封層，該模封層位于該電子元件與該加熱層之間，且該模封層包覆該電子元件。
8.如權利要求7所述的半導體封裝結構，其特征在于該加熱層通過該模封層以提供熱能至該電子元件。
9.如權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于該第一接墊以及該第二接墊配置于該基板的表面。
10.如權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于該電磁遮蔽層為金屬蓋。
11.如權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于該電磁遮蔽層為導電薄膜。
12.如權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于該第一接墊連接外部電源，而該第二接墊為接地接墊。
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