[發(fā)明專利]集成電路以及制造所述集成電路的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811214815.4
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN109801871A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 麥克·史帝芬·羅德爾;雷維基·森古普塔;洪俊九;提塔許·瑞許特
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L27/088
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

一種集成電路以及制造所述集成電路的方法。所述集成電路包括一系列場效應(yīng)晶體管。每一場效應(yīng)晶體管包括：源極區(qū)；漏極區(qū)；溝道區(qū)，在源極區(qū)與漏極區(qū)之間延伸；柵極，位于溝道區(qū)上；柵極接觸件，在柵極的有源區(qū)處位于柵極上；源極接觸件，位于源極區(qū)上；以及漏極接觸件，位于漏極區(qū)上。源極接觸件的上表面及漏極接觸件的上表面在柵極的上表面下間隔開一深度。

[相關(guān)申請的交叉參考]

本申請主張在2017年11月16日提出申請的美國臨時申請第62/587,214號的優(yōu)先權(quán)及權(quán)利，所述美國臨時申請的全部內(nèi)容并入本申請供參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開大體來說涉及場效應(yīng)晶體管以及制造所述場效應(yīng)晶體管的方法。

背景技術(shù)

在有源區(qū)域之上包括柵極接觸件的現(xiàn)有技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)不適合縮放的接觸多晶硅間距(contacted poly pitch，CPP)，縮放的接觸多晶硅間距是縮放單元寬度及單元區(qū)域所需的。舉例來說，如圖1A所示，現(xiàn)有技術(shù)單元架構(gòu)100包括一對場效應(yīng)晶體管(fieldeffect transistor，F(xiàn)ET)101、102(例如，n型FET(n-FET)及p型FET(p-FET))，所述一對場效應(yīng)晶體管101、102各自包括分別位于源極區(qū)105及漏極區(qū)106上的接觸件103、104以及位于柵極108的有源區(qū)域上的接觸件107。圖1B為沿圖1A的線1B-1B的剖面圖。如圖1B所示，源極區(qū)105及漏極區(qū)106上的接觸件103、104的高度至少與柵極108的高度一樣高以使得源極區(qū)105及漏極區(qū)106上的接觸件103、104的上表面109、110在單元100中至少與柵極108的上表面111一樣高。在一些技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)中，源極區(qū)105及漏極區(qū)106上的接觸件103、104的高度可比柵極108的高度高以使得源極區(qū)105及漏極區(qū)106上的接觸件103、104的上表面109、110位于柵極108的上表面111上方。在這種現(xiàn)有技術(shù)配置中，源極區(qū)105及漏極區(qū)106上的接觸件103、104與有源區(qū)域之上的柵極接觸件107之間的橫向間隔不能過小，否則在源極區(qū)105及漏極區(qū)106上的接觸件103、104與有源區(qū)域之上的柵極接觸件107之間將會發(fā)生電短路。

傳統(tǒng)上，相鄰于柵極108的邊緣設(shè)置厚的氮化物間隔件112以將源極區(qū)105及漏極區(qū)106上的接觸件103、104與柵極108的邊緣充分間隔開，且因此與有源區(qū)域之上的柵極接觸件107充分間隔開，以避免在源極區(qū)105及漏極區(qū)106上的接觸件103、104與有源區(qū)域之上的柵極接觸件107之間發(fā)生電短路。然而，使用厚的間隔件112會限制標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)100中的柵極-柵極間隔的減小，這是由于必須有足夠的空間在源極區(qū)105及漏極區(qū)106上形成接觸件103、104。這樣一來，使用厚的間隔件會限制現(xiàn)有技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)單元架構(gòu)100的接觸多晶硅間距(CPP)的減小。

發(fā)明內(nèi)容

本公開涉及集成電路的各種實(shí)施例。在一個實(shí)施例中，所述集成電路包括一系列場效應(yīng)晶體管。每一場效應(yīng)晶體管包括：源極區(qū)；漏極區(qū)；溝道區(qū)，在所述源極區(qū)與所述漏極區(qū)之間延伸；柵極，位于所述溝道區(qū)上；柵極接觸件，在所述柵極的有源區(qū)處位于所述柵極上；源極接觸件，位于所述源極區(qū)上；以及漏極接觸件，位于所述漏極區(qū)上。所述源極接觸件的上表面及所述漏極接觸件的上表面在所述柵極的上表面下間隔開一深度。

所述深度可為近似10nm到近似40nm，或者為近似12nm到近似25nm。

每一場效應(yīng)晶體管可包括位于所述源極接觸件或所述漏極接觸件上的通孔，所述通孔相對于所述柵極接觸件錯列。所述通孔可在所述源極接觸件或所述漏極接觸件的長度方向上相對于所述柵極接觸件縱向地偏置近似10nm到近似25nm的距離。