[發明專利]屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能分析模型及其測量方法在審
| 申請號: | 201811214279.8 | 申請日: | 2018-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN109581096A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 應小俊;陳亞南;樊康;石國昌;廖意 | 申請(專利權)人: | 上海無線電設備研究所 |
| 主分類號: | G01R31/00 | 分類號: | G01R31/00 |
| 代理公司: | 上海元好知識產權代理有限公司 31323 | 代理人: | 張妍;徐雯瓊 |
| 地址: | 200090 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 屏蔽效能 屏蔽室 矩形開孔 矩形腔體 分析模型 金屬屏蔽材料 吸收介質 電磁屏蔽材料 測量 場強 電磁諧振效應 屏蔽效能測試 金屬網屏蔽 電磁材料 介質結構 內部安裝 波動性 激勵源 監測點 室內部 屏蔽 頂面 外部 | ||
1.一種屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能分析模型,其特征在于,包含:
矩形腔體,該矩形腔體的其中一面上具有矩形開孔;
電磁材料網,其設置在矩形腔體上的矩形開孔處;
吸收介質片,其設置在矩形腔體的內部,提高了矩形腔體內部的場強損耗,降低了矩形腔體諧振效應對屏蔽效能的影響;
激勵源,其設置在矩形腔體外部,面對矩形腔體上的矩形開孔處發射均勻的平面波;
場強監測點,其設置在矩形腔體中心,用于監測矩形腔體中心處的電場值。
2.如權利要求1所述的屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能分析模型,其特征在于,所述的吸收介質片的數量大于等于1。
3.如權利要求1所述的屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能分析模型,其特征在于,所述的激勵源、矩形開孔中心、電磁材料網中心、以及場強監測點等高,全部位于同一直線上。
4.如權利要求1所述的屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能分析模型,其特征在于,所述的激勵源發射的平面波的入射方向垂直于矩形腔體上具有矩形開孔的一面,電場方向與矩形腔體高的方向平行。
5.如權利要求1所述的屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能分析模型,其特征在于,所述的電磁材料網的尺寸與矩形腔體上的矩形開孔的尺寸一致。
6.一種基于如權利要求1-5中任意一項所述的屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能分析模型實現的屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能測量方法,其特征在于,包含以下步驟:
步驟S1、建立矩形開孔屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能分析模型,獲得電磁屏蔽材料的屏蔽效能;
步驟S2、建立具有吸收介質片的屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能分析模型,獲得電磁屏蔽材料的屏蔽效能。
7.如權利要求5所述的屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能測量方法,其特征在于,所述的步驟S1包含以下步驟:
步驟S1.1、建立矩形開孔屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能模型,該矩形開孔屏蔽室屏蔽效能模型包含:矩形腔體、設置在矩形腔體上的矩形開孔處的電磁材料網、設置在矩形腔體外部的激勵源、以及設置在矩形腔體中心的場強監測點;
步驟S1.2、獲得矩形開孔屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能模型的電磁屏蔽材料屏蔽效能:
其中,SE為電場屏蔽效能,Eo為未安裝正方形金屬網時場強監測點的電磁值,Es為安裝正方形金屬網時場強監測點的電磁值。
8.如權利要求6所述的屏蔽室屏蔽效能測量方法,其特征在于,所述的步驟S2包含以下步驟:
步驟S2.1、在矩形開孔屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能模型中矩形腔體的頂面內部安裝吸收介質片,形成具有吸收介質片的屏蔽室屏蔽效能分析模型;
步驟S2.2、獲得具有吸收介質片的屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能分析模型的電磁屏蔽材料屏蔽效能:
其中,SE’為電場屏蔽效能,E′O為未安裝正方形金屬網時場強監測點的電磁值,E′S為安裝正方形金屬網時場強監測點的電磁值。
9.如權利要求7所述的屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能測量方法,其特征在于,計算矩形開孔屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能模型的電磁屏蔽材料屏蔽效能和計算具有吸收介質片的屏蔽室屏蔽效能分析模型的電磁屏蔽材料屏蔽效能時的激勵源的外部激勵功率不變,且場強監測點位置不變。
10.如權利要求8所述的屏蔽室屏蔽效能測量方法,其特征在于,所述的屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能測量方法還包含步驟S3,建立無限大金屬網理論對比驗證模型,仿真獲得無限大金屬網理論屏蔽效能,驗證具有吸收介質片的屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能分析模型的屏蔽效能,所述的無限大金屬網理論對比驗證模型具有與具有吸收介質片的屏蔽室下金屬屏蔽材料屏蔽效能分析模型相同的網格結構。
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