[發明專利]半導體發光器件

有效

• 申請號: 201811213762.4
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN109686829B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 伊藤洋平
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L21/18
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明提供一種半導體發光器件，其包括：半導體層，其具有主面，并能生成光；光透射層，其具有光透射性，并覆蓋所述半導體層的所述主面；光反射層，其具有光反射性，并覆蓋所述光透射層；和接合材料擴散區域，其形成于所述光透射層與所述光反射層之間的邊界部的所述光反射層的表層部，并包含具有與構成所述光反射層的元素相比對所述光透射層的貼緊力高的性質的元素。本發明能夠提高光反射層對光透射層的貼緊力。

本申請與2017年10月18日在日本國特許廳提出的日本特愿2017－202116號和2018年8月29日在日本國特許廳提出的日本特愿2018－160697號對應，在此通過引用這些申請的全部公開內容而編入本申請。

技術領域

本發明涉及一種半導體發光器件。

背景技術

專利文獻1(日本特開2005－175462號公報)中，公開了一種半導體發光元件。該半導體發光元件具有通過第一接合金屬層和第二接合金屬層接合非發光部分與發光部分的結構。

非發光部分包括硅基片和覆蓋硅基片的第二接合金屬層。發光部分包括能生成光的半導體區域、覆蓋半導體區域的主面的光透射層、覆蓋光透射層的光反射層和覆蓋光反射層的第一接合金屬層。

發光部分中，使半導體區域的主面以與非發光部分的硅基片的主面相對的姿態配置于非發光部分之上。在該狀態下，發光部分的第一接合金屬層與非發光部分的第二接合金屬層接合。

發明內容

如專利文獻1的半導體發光元件，在光透射層被光反射層覆蓋的結構中，有時討論光反射層對光透射層的親和性。

例如，在光反射層對光透射層的親和性低的情況下，光反射層對光透射層的貼緊力不足，光反射層的光反射率可能降低。

因此，本發明的一實施方式的一個目的在于，提供一種能夠提高光反射層對光透射層的貼緊力的半導體發光器件。

本發明的一實施方式提供一種半導體發光器件，其包括：半導體層，其具有主面，并能生成光；光透射層，其具有光透射性，并覆蓋所述半導體層的所述主面；光反射層，其具有光反射性，并覆蓋所述光透射層；和接合材料擴散區域，其形成于所述光透射層與所述光反射層之間的邊界部的所述光反射層的表層部，并包含具有與構成所述光反射層的元素相比對所述光透射層的貼緊力高的性質的元素。

依照該半導體發光器件，接合材料擴散區域形成于光透射層與光反射層之間的邊界部的光反射層的表層部。接合材料擴散區域包含具有與構成光反射層的元素相比對光透射層的貼緊力高的性質的元素。由此，能夠提高光反射層對光透射層的貼緊力。

本發明的一實施方式提供一種半導體發光器件，其包括：非發光體部，其包括：具有一側的第一正面及另一側的第一背面的基片；和具有光反射性，且覆蓋所述基片的所述第一正面的第一光反射層，和發光體部，其包括：半導體層，其具有一側的第二正面及另一側的第二背面，并能生成光；光透射層，其具有光透射性，并覆蓋所述半導體層的所述第二正面；第二光反射層，其具有光反射性，并覆蓋所述光透射層；以及接合材料擴散區域，其形成于所述光透射層與所述第二光反射層之間的邊界部的所述第二光反射層的表層部，并包含具有與構成所述第二光反射層的元素相比對所述光透射層的貼緊力高的性質的元素，所述發光體部以使所述半導體層的所述第二正面與所述非發光體部的所述基片的所述第一正面相對的姿態配置于所述非發光體部上。

依照該半導體發光器件，接合材料擴散區域形成于光透射層與第二光反射層之間的邊界部的第二光反射層的表層部。接合材料擴散區域包含具有與構成第二光反射層的元素相比對光透射層的貼緊力高的性質的元素。由此，能夠提高第二光反射層對光透射層的貼緊力。

附圖說明

圖1是本發明的第一實施方式的半導體發光器件的平面圖。

圖2是本發明的第一實施方式的半導體發光器件的截面圖，是表示圖1的II－II截面的圖。