[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811213762.4
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN109686829B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 伊藤洋平
• 申請（專利權(quán)）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L21/18
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體層，其具有主面，并能生成光；

光透射層，其具有光透射性，并覆蓋所述半導(dǎo)體層的所述主面；

光反射層，其具有光反射性，并覆蓋所述光透射層；和

接合材料擴(kuò)散區(qū)域，其形成于所述光透射層與所述光反射層之間的邊界部的所述光反射層的表層部，并包含具有與構(gòu)成所述光反射層的元素相比對所述光透射層的貼緊力高的性質(zhì)的元素，

所述光透射層具有與所述光反射層接合的接合面，

所述接合材料擴(kuò)散區(qū)域以與所述光透射層的所述接合面的全部區(qū)域接觸的方式，形成在所述光透射層與所述光反射層的邊界部的所述光反射層的表層部。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：

還包括接合材料層，其以隔著所述光反射層與所述光透射層相對的方式覆蓋所述光反射層，并包含具有與構(gòu)成所述光反射層的元素相比對所述光透射層的貼緊力高的性質(zhì)的元素。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：

所述接合材料擴(kuò)散區(qū)域包含與所述接合材料層所含的元素同種的元素。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：

所述接合材料層形成為使具有對所述光透射層的貼緊力高的性質(zhì)的元素向所述光反射層的表層部擴(kuò)散來供給該元素的元素供給源，

所述接合材料擴(kuò)散區(qū)域包含從所述接合材料層擴(kuò)散到所述光反射層的表層部的元素。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：

所述光反射層包含金。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：

所述光透射層包含氧化銦錫，

所述接合材料擴(kuò)散區(qū)域包含鉻作為具有對所述光透射層的貼緊力高的性質(zhì)的元素。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：

所述光透射層包含氧化硅和氮化硅中的任一者或兩者，

所述接合材料擴(kuò)散區(qū)域包含鈹作為具有對所述光透射層的貼緊力高的性質(zhì)的元素。

8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：

還包括接觸電極，其埋入于在所述光透射層形成的接觸孔中，

所述接合材料擴(kuò)散區(qū)域形成在所述接觸電極與所述接合材料層之間，且以與所述光透射層的所述接合面和所述接觸電極接觸的方式形成。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：

包括在所述半導(dǎo)體層的與所述主面相反側(cè)的第二主面局部地形成的電極，

所述接觸電極以俯視時(shí)與所述電極不重疊的方式形成。

10.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：

所述接合材料層的厚度與所述光反射層的厚度之比為0.5以上5.0以下。

11.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：

所述接合材料層的厚度為0.05μm以上0.25μm以下。

12.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：

所述接合材料擴(kuò)散區(qū)域具有所述光透射層側(cè)的貼緊力高的元素的含有率比所述接合材料層側(cè)的貼緊力高的元素的含有率低的濃度梯度。