[發明專利]氧化物半導體裝置以及其制作方法

有效

• 申請號: 201811213723.4
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN111081773B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 黃仁柏;賴建銘;陳彥臻;黃圣堯;陳慧玲;廖星華;方漢川
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種氧化物半導體裝置以及其制作方法，該氧化物半導體裝置包括一基底、一第一圖案化氧化物半導體層、一源極電極、一漏極電極以及一側壁間隙壁。第一圖案化氧化物半導體層設置于基底上。源極電極與漏極電極設置于第一圖案化氧化物半導體層上。側壁間隙壁設置于第一圖案化氧化物半導體層的一側壁上。側壁間隙壁可用以改善阻擋雜質由側壁進入第一圖案化氧化物半導體層的效果，由此提升氧化物半導體裝置的電性表現與可靠度。

技術領域

本發明涉及一種氧化物半導體裝置以及其制作方法，尤其是涉及一種具有側壁間隙壁的氧化物半導體裝置以及其制作方法。

背景技術

氧化物半導體材料(例如氧化銦鎵鋅，IGZO)由于具有高遷移率(mobility)以及低漏電的特性，近來已廣泛地被應用于顯示器內的薄膜晶體管(thin film transistor，TFT)以及集成電路中的場效晶體管(field effect transistor，FET)。然而，氧化物半導體材料中的氧空缺(oxygen vacancy)狀況會直接影響到其半導體特性，而氧化物半導體材料容易受到外界物質例如水氣、氧氣以及氫氣等影響而產生材料特性上的變化。因此，為了提升氧化物半導體裝置的電性穩定性以及產品可靠性，如何有效阻擋外界物質進入氧化物半導體材料而產生影響是非常重要的關鍵問題。

發明內容

本發明提供了一種氧化物半導體裝置以及制作方法，在圖案化氧化物半導體層的側壁上設置側壁間隙壁，利用側壁間隙壁改善阻擋雜質由側壁進入圖案化氧化物半導體層的效果，進而提升氧化物半導體裝置的電性表現與可靠度。

本發明一實施例提供一種氧化物半導體裝置，包括一基底、一第一圖案化氧化物半導體層、一源極電極、一漏極電極以及一側壁間隙壁。第一圖案化氧化物半導體層設置于基底上。源極電極與漏極電極設置于第一圖案化氧化物半導體層上。側壁間隙壁設置于第一圖案化氧化物半導體層的一側壁上。

本發明另一實施例提供一種氧化物半導體裝置的制作方法，包括下列步驟。首先，在一基底上形成一第一圖案化氧化物半導體層。在第一圖案化氧化物半導體層上形成一源極電極以及一漏極電極。在第一圖案化氧化物半導體層的一側壁上形成一側壁間隙壁。

附圖說明

圖1為本發明一實施例的氧化物半導體裝置的示意圖；

圖2至圖10為本發明一實施例的氧化物半導體裝置的制作方法的示意圖，其中

圖3為圖2之后的狀況示意圖；

圖4為圖3之后的狀況示意圖；

圖5為圖4之后的狀況示意圖；

圖6為圖5之后的狀況示意圖；

圖7為圖6之后的狀況示意圖；

圖8為圖7之后的狀況示意圖；

圖9為圖8之后的狀況示意圖；

圖10為圖9之后的狀況示意圖。

主要元件符號說明

10 基底

11 第一介電層

12 第一互連結構

13 第二介電層

14 第三介電層

20 第二互連結構

21 第一阻障層

22 第一導電層

30 底部柵極介電層

30A 氧供應層

31 第一底部柵極介電層