[發(fā)明專利]氧化物半導(dǎo)體裝置以及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811213723.4
• 申請(qǐng)日: 2018-10-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111081773B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃仁柏;賴建銘;陳彥臻;黃圣堯;陳慧玲;廖星華;方漢川
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種氧化物半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

基底；

第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)置于該基底上；

源極電極以及漏極電極，設(shè)置于該第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層上；

側(cè)壁間隙壁，設(shè)置于該第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層的側(cè)壁上；

第一保護(hù)層，共形地設(shè)置于該側(cè)壁間隙壁、該源極電極和該漏極電極上，其中該第一保護(hù)層直接接觸該側(cè)壁間隙壁的頂表面和該側(cè)壁間隙壁的側(cè)表面；以及

氧供應(yīng)層，設(shè)置于該第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層與該基底之間，其中該側(cè)壁間隙壁設(shè)置于該氧供應(yīng)層上，并且該側(cè)壁間隙壁還設(shè)置于該氧供應(yīng)層的設(shè)置于該第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層下方的部分的側(cè)壁上。

2.如權(quán)利要求1所述的氧化物半導(dǎo)體裝置，其中該側(cè)壁間隙壁還設(shè)置于該源極電極的側(cè)壁上以及該漏極電極的側(cè)壁上。

3.如權(quán)利要求2所述的氧化物半導(dǎo)體裝置，其中該側(cè)壁間隙壁的最上表面于該基底的厚度方向上低于該源極電極的最上表面以及該漏極電極的最上表面。

4.如權(quán)利要求2所述的氧化物半導(dǎo)體裝置，其中該源極電極的該側(cè)壁以及該漏極電極的該側(cè)壁分別與該第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層的該側(cè)壁對(duì)齊。

5.如權(quán)利要求1所述的氧化物半導(dǎo)體裝置，還包括：

底部柵極電極，設(shè)置于該氧供應(yīng)層與該基底之間。

6.如權(quán)利要求1所述的氧化物半導(dǎo)體裝置，還包括：

第一保護(hù)層，共形地設(shè)置該氧供應(yīng)層、該側(cè)壁間隙壁、該源極電極以及該漏極電極上。

7.如權(quán)利要求6所述的氧化物半導(dǎo)體裝置，其中該側(cè)壁間隙壁的材料組成不同于該第一保護(hù)層的材料組成。

8.如權(quán)利要求6所述的氧化物半導(dǎo)體裝置，還包括：

第二圖案化氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)置于該源極電極、該漏極電極以及該第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層上；

上部柵極電極，設(shè)置于該第二圖案化氧化物半導(dǎo)體層上；以及

第二保護(hù)層，共形地設(shè)置于該上部柵極電極、該第二圖案化氧化物半導(dǎo)體層以及該第一保護(hù)層上，其中該第二保護(hù)層覆蓋該第二圖案化氧化物半導(dǎo)體層的一側(cè)壁，并且部分的該第一保護(hù)層在該基底的厚度方向上設(shè)置于該源極電極和該第二圖案化氧化物半導(dǎo)體層之間。

9.一種氧化物半導(dǎo)體裝置的制作方法，包括：

在基底上形成第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層；

在該第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層上形成源極電極以及漏極電極；

在該第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層的側(cè)壁上形成側(cè)壁間隙壁；以及

在形成該第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層之前，在該基底上形成氧供應(yīng)層，其中該第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層以及該側(cè)壁間隙壁形成于該氧供應(yīng)層上，

其中形成該氧供應(yīng)層的步驟包括：在該基底上形成介電層；以及對(duì)該介電層進(jìn)行氧摻雜制作工藝，

其中該氧摻雜制作工藝包括：在該介電層上形成輔助氧化物層；以及在該氧供應(yīng)層形成之后，將該輔助氧化物層移除。

10.如權(quán)利要求9所述的氧化物半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該側(cè)壁間隙壁還形成于該源極電極的側(cè)壁上以及該漏極電極的側(cè)壁上。

11.如權(quán)利要求10所述的氧化物半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該源極電極的該側(cè)壁以及該漏極電極的該側(cè)壁分別與該第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層的該側(cè)壁對(duì)齊。

12.如權(quán)利要求9所述的氧化物半導(dǎo)體裝置的制作方法，其中該側(cè)壁間隙壁是由對(duì)間隙壁材料層進(jìn)行蝕刻制作工藝而形成，該源極電極以及該漏極電極是由對(duì)形成于該第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層上的導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化制作工藝而形成，且該圖案化制作工藝是于該蝕刻制作工藝之后進(jìn)行。

13.如權(quán)利要求9所述的氧化物半導(dǎo)體裝置的制作方法，還包括：

在形成該第一圖案化氧化物半導(dǎo)體層之前，對(duì)該氧供應(yīng)層進(jìn)行平坦化制作工藝。