[發明專利]氧化物半導體裝置以及其制作方法

有效

• 申請號: 201811213723.4
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN111081773B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 黃仁柏;賴建銘;陳彥臻;黃圣堯;陳慧玲;廖星華;方漢川
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種氧化物半導體裝置，其特征在于，包括：

基底；

第一圖案化氧化物半導體層，設置于該基底上；

源極電極以及漏極電極，設置于該第一圖案化氧化物半導體層上；

側壁間隙壁，設置于該第一圖案化氧化物半導體層的側壁上；

第一保護層，共形地設置于該側壁間隙壁、該源極電極和該漏極電極上，其中該第一保護層直接接觸該側壁間隙壁的頂表面和該側壁間隙壁的側表面；以及

氧供應層，設置于該第一圖案化氧化物半導體層與該基底之間，其中該側壁間隙壁設置于該氧供應層上，并且該側壁間隙壁還設置于該氧供應層的設置于該第一圖案化氧化物半導體層下方的部分的側壁上。

2.如權利要求1所述的氧化物半導體裝置，其中該側壁間隙壁還設置于該源極電極的側壁上以及該漏極電極的側壁上。

3.如權利要求2所述的氧化物半導體裝置，其中該側壁間隙壁的最上表面于該基底的厚度方向上低于該源極電極的最上表面以及該漏極電極的最上表面。

4.如權利要求2所述的氧化物半導體裝置，其中該源極電極的該側壁以及該漏極電極的該側壁分別與該第一圖案化氧化物半導體層的該側壁對齊。

5.如權利要求1所述的氧化物半導體裝置，還包括：

底部柵極電極，設置于該氧供應層與該基底之間。

6.如權利要求1所述的氧化物半導體裝置，還包括：

第一保護層，共形地設置該氧供應層、該側壁間隙壁、該源極電極以及該漏極電極上。

7.如權利要求6所述的氧化物半導體裝置，其中該側壁間隙壁的材料組成不同于該第一保護層的材料組成。

8.如權利要求6所述的氧化物半導體裝置，還包括：

第二圖案化氧化物半導體層，設置于該源極電極、該漏極電極以及該第一圖案化氧化物半導體層上；

上部柵極電極，設置于該第二圖案化氧化物半導體層上；以及

第二保護層，共形地設置于該上部柵極電極、該第二圖案化氧化物半導體層以及該第一保護層上，其中該第二保護層覆蓋該第二圖案化氧化物半導體層的一側壁，并且部分的該第一保護層在該基底的厚度方向上設置于該源極電極和該第二圖案化氧化物半導體層之間。

9.一種氧化物半導體裝置的制作方法，包括：

在基底上形成第一圖案化氧化物半導體層；

在該第一圖案化氧化物半導體層上形成源極電極以及漏極電極；

在該第一圖案化氧化物半導體層的側壁上形成側壁間隙壁；以及

在形成該第一圖案化氧化物半導體層之前，在該基底上形成氧供應層，其中該第一圖案化氧化物半導體層以及該側壁間隙壁形成于該氧供應層上，

其中形成該氧供應層的步驟包括：在該基底上形成介電層；以及對該介電層進行氧摻雜制作工藝，

其中該氧摻雜制作工藝包括：在該介電層上形成輔助氧化物層；以及在該氧供應層形成之后，將該輔助氧化物層移除。

10.如權利要求9所述的氧化物半導體裝置的制作方法，其中該側壁間隙壁還形成于該源極電極的側壁上以及該漏極電極的側壁上。

11.如權利要求10所述的氧化物半導體裝置的制作方法，其中該源極電極的該側壁以及該漏極電極的該側壁分別與該第一圖案化氧化物半導體層的該側壁對齊。

12.如權利要求9所述的氧化物半導體裝置的制作方法，其中該側壁間隙壁是由對間隙壁材料層進行蝕刻制作工藝而形成，該源極電極以及該漏極電極是由對形成于該第一圖案化氧化物半導體層上的導電層進行圖案化制作工藝而形成，且該圖案化制作工藝是于該蝕刻制作工藝之后進行。

13.如權利要求9所述的氧化物半導體裝置的制作方法，還包括：

在形成該第一圖案化氧化物半導體層之前，對該氧供應層進行平坦化制作工藝。