[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811213421.7
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN109212851A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何梓杰
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1345
• 分類號: G02F1/1345;G02F1/1362;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種顯示面板，其特征在于，包括

彩膜基板，其表面分布有公共電極走線，所述公共電極走線形成有走線間隙區(qū)；

陣列基板，與所述彩膜基板相對設(shè)置，且與所述彩膜基板的同一側(cè)形成有相互對齊的切斷面，所述切斷面在所述走線間隙區(qū)中；所述陣列基板上分布有金屬走線，所述金屬走線延伸至所述切斷面并在該切斷面形成引腳斷面。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，還包括

導(dǎo)電銀漿層，覆于所述引腳斷面上；

覆晶薄膜，覆于所述導(dǎo)電銀漿層上；

芯片層，連接于所述覆晶薄膜；

所述覆晶薄膜與所述導(dǎo)電銀漿層之間設(shè)有異方性導(dǎo)電膜；所述覆晶薄膜與所述芯片層之間設(shè)有異方性導(dǎo)電膜。

3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，

所述芯片層與所述彩膜基板、所述陣列基板均位于所述覆晶薄膜的同一側(cè)。

4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，

所述彩膜基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述切斷面對應(yīng)所述非顯示區(qū)域。

5.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括

S1)制作彩膜基板和陣列基板，所述陣列基板上分布有金屬走線；所述彩膜基板上涂布有公共電極走線，在制作彩膜基板步驟中，包括在所述彩膜基板上，利用激光去除部分所述公共電極走線并形成走線間隙區(qū)，所述激光光束的寬度小于所述走線間隙區(qū)的寬度；

S2)裝配所述彩膜基板和所述陣列基板，使所述彩膜基板和所述陣列基板相對設(shè)置；

S3)在所述走線間隙區(qū)位置切割所述彩膜基板和所述陣列基板的同一側(cè)的邊側(cè)，使所述彩膜基板和所述陣列基板在同一側(cè)形成相互對齊的切斷面，所述金屬走線在所述切斷面形成引腳斷面；

S4)在所述引腳斷面處涂布導(dǎo)電銀漿并固化形成導(dǎo)電銀漿層；

S5)在所述導(dǎo)電銀漿層上制備覆晶薄膜；

S6)在所述覆晶薄膜上連接芯片層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，

在制作彩膜基板步驟中，采用測量所述走線間隙區(qū)兩端電阻的方法檢測激光照射區(qū)域的所述公共電極是否完全去除。

7.如權(quán)利要求5所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，

在步驟S4)中，在所述引腳斷面上涂布所述導(dǎo)電銀漿形成塊狀導(dǎo)電銀漿或線狀導(dǎo)電銀漿，所述塊狀導(dǎo)電銀漿或線狀導(dǎo)電銀漿形成所述導(dǎo)電銀漿層。

8.如權(quán)利要求5所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，

在所述步驟S1)中，所述走線間隙區(qū)的寬度為100-400um。

9.如權(quán)利要求5所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在形成走線間隙區(qū)之后，對所述走線間隙區(qū)進行清潔處理。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-4中任意一項所述的顯示面板。