[發明專利]帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法

在審

• 申請號: 201811213408.1
• 申請日: 2018-10-18
• 公開（公告）號: CN109696805A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: 中山貴仁
• 申請（專利權）人: 紐富來科技股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

本發明涉及帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法。本發明某形態的帶電粒子束描繪裝置具備：描繪部，對載置于平臺的描繪對象的基板照射帶電粒子束而描繪圖案；標記，設置于所述平臺；高度檢測器，檢測所述標記的表面高度；焦點調整部，使所述帶電粒子束合焦于所述基板的表面高度及檢測出的所述標記的表面高度；照射位置檢測器，檢測所述標記表面上的所述帶電粒子束的照射位置；漂移修正部，從基于所述照射位置檢測器檢測出的所述照射位置計算所述標記表面的所述帶電粒子束的漂移量，基于該漂移量生成修正所述基板的表面上的漂移導致的照射位置偏移的修正信息；描繪控制部，用所述修正信息修正所述帶電粒子束的照射位置。

技術領域

本發明涉及帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法。

背景技術

伴隨LSI的高集成化，半導體設備所要求的電路線寬正逐年微細化。為了形成半導體設備所希望的電路圖案，采用了以縮小投影型曝光裝置而將石英上形成的高精度的原畫圖案(稱為掩膜，或者通過步進器或掃描器而被使用的也特別稱為光罩。)縮小轉印于晶片上的手法。由電子束描繪裝置描繪高精度的原畫圖案，使用了所謂電子束光刻技術。

電子束描繪裝置中，由于各種因素，電子束的照射位置在描繪中隨著時間推移而移位的所謂束流漂移的現象會發生。為了抵消該束流漂移，會進行漂移修正。在漂移修正中，用電子束掃描形成于配置在平臺上的標記基板的測定用標記來測定電子束的照射位置而求出漂移量。

描繪對象的樣本(掩膜)的厚度由于公差而致使每個樣本都不同，通常，樣本表面的高度與標記基板的表面的高度不一致。電子束斜著入射樣本或標記基板的情況下，由于表面高度的不同，標記表面上的漂移量與樣本表面上的漂移量之間產生誤差。若將標記表面上的漂移量原封不動地用于漂移修正，則會有漂移修正由于誤差部分而變得不充分的問題。

日本專利公開公報2013-38297號中公開了一種手法：在平臺上設置高度不同的多個標記，選擇比樣本表面的高度低的標記和比樣本表面高度高的標記，基于所選擇的2個標記的表面上的漂移量而求出樣本表面上的漂移量，而抑制依存于樣本表面與標記表面的高低差的束流照射位置的偏差。

但是，日本專利公開公報2013-38297號的手法中，由于需要用電子束掃描至少2個標記來測定漂移量，描繪吞吐量降低。

發明內容

本發明提供高精度地進行漂移修正而使圖案的描繪精度提升而能夠抑制描繪吞吐量的降低的帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法。

本發明某一形態的帶電粒子束描繪裝置，具備：描繪部，對載置于平臺的描繪對象的基板照射帶電粒子束而描繪圖案；標記，設置于所述平臺上；高度檢測器，檢測所述標記的表面高度；焦點調整部，調整所述帶電粒子束的焦點以使得所述帶電粒子束合焦至所述基板的表面高度及檢測出的所述標記的表面高度；照射位置檢測器，通過合焦至所述標記的表面高度的所述帶電粒子束的照射，檢測所述標記表面上的所述帶電粒子束的照射位置；漂移修正部，基于由所述照射位置檢測器檢測出的所述照射位置來計算所述標記表面上的所述帶電粒子束的漂移量，基于該漂移量，生成修正所述基板的表面上的漂移導致的照射位置偏差的修正信息；描繪控制部，使用所述修正信息來修正所述帶電粒子束的照射位置。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式的電子束描繪裝置的簡圖。

圖2是說明電子束的可變成形的圖。

圖3(a)是表示正常時的束流軌道的圖，圖3(b)是表示束流傾斜地入射的情況下的束流軌道的圖。

圖4是表示束流軌道的例子的圖。

圖5是表示合焦至標記表面的狀態的示意圖。

圖6是說明實施方式的描繪方法的流程圖。

具體實施方式