[發(fā)明專利]量子點(diǎn)器件和電子設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811207676.2 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109817772A | 公開（公告）日： | 2019-05-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐弘圭;張銀珠;丁大榮;金泰豪;李相陳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/06 | 分類號(hào)： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 王華芹;金擬粲 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 空穴注入層 空穴傳輸層 量子點(diǎn)層 量子點(diǎn)器件 陽(yáng)極 第二表面 第一表面 電子設(shè)備 占據(jù)分子軌道能級(jí) 能級(jí) 陰極 分子軌道 占據(jù) | ||
公開量子點(diǎn)器件和電子設(shè)備。所述量子點(diǎn)器件包括陽(yáng)極、在所述陽(yáng)極上的空穴注入層、在所述空穴注入層上的空穴傳輸層、在所述空穴傳輸層上的量子點(diǎn)層、和在所述量子點(diǎn)層上的陰極，其中所述量子點(diǎn)層的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級(jí)大于或等于約5.6電子伏(eV)，所述空穴傳輸層的HOMO能級(jí)與所述量子點(diǎn)層的最高占據(jù)分子軌道能級(jí)之間的差值小于約0.5eV，所述空穴注入層具有接觸所述陽(yáng)極的第一表面和接觸所述空穴傳輸層的第二表面，和所述空穴注入層的第一表面的HOMO能級(jí)不同于所述空穴注入層的第二表面的HOMO能級(jí)。
對(duì)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2017年11月21日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2017-0155647的優(yōu)先權(quán)、以及由其產(chǎn)生的所有權(quán)益，將其全部?jī)?nèi)容引入本文作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
公開量子點(diǎn)器件和電子設(shè)備。
背景技術(shù)
不同于塊體材料，納米顆粒的本征物理特性(例如，能帶隙、熔點(diǎn)等)可通過改變納米顆粒尺寸而控制。例如，當(dāng)半導(dǎo)體納米晶體顆粒(也稱作量子點(diǎn))被供應(yīng)光能或電能時(shí)，其可發(fā)射與所述量子點(diǎn)的尺寸對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)的光。因此，可使用量子點(diǎn)作為發(fā)射特定波長(zhǎng)的光的發(fā)光元件。
發(fā)明內(nèi)容
量子點(diǎn)可用作器件的發(fā)光元件，并且已經(jīng)成為近來研究的主題。然而，量子點(diǎn)不同于常規(guī)的發(fā)光元件，并且因此需要改善量子點(diǎn)器件的性能的新方法。
一種實(shí)施方式提供能夠?qū)崿F(xiàn)改善的性能的量子點(diǎn)器件。
另一實(shí)施方式提供包括所述量子點(diǎn)器件的電子設(shè)備。
根據(jù)一種實(shí)施方式，量子點(diǎn)器件包括陽(yáng)極、設(shè)置在所述陽(yáng)極上的空穴注入層、設(shè)置在所述空穴注入層上的空穴傳輸層、設(shè)置在所述空穴傳輸層上的量子點(diǎn)層、和設(shè)置在所述量子點(diǎn)層上的陰極，其中所述量子點(diǎn)層的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)能級(jí)大于或等于約5.6電子伏(eV)，所述空穴傳輸層的HOMO能級(jí)與所述量子點(diǎn)層的HOMO能級(jí)之間的差值小于約0.5eV，所述空穴注入層具有接觸所述陽(yáng)極的第一表面和接觸所述空穴傳輸層的第二表面，和所述空穴注入層的第一表面的HOMO能級(jí)不同于所述空穴注入層的第二表面的HOMO能級(jí)。
所述空穴注入層的第二表面的HOMO能級(jí)可大于所述空穴注入層的第一表面的HOMO能級(jí)。
所述空穴注入層的第二表面的HOMO能級(jí)與所述空穴傳輸層的HOMO能級(jí)之間的差值可小于約0.5eV。所述差值可大于或等于0。
所述空穴傳輸層的HOMO能級(jí)可大于或等于約5.4eV。
所述空穴傳輸層的HOMO能級(jí)可為約5.6eV-約7eV。
所述空穴注入層的第一表面的HOMO能級(jí)可為約5.0eV-約5.5eV，和所述空穴注入層的第二表面的HOMO能級(jí)可大于約5.5eV且小于或等于約7eV。
所述空穴注入層可包括第一化合物和第二化合物，和所述第二化合物可具有比所述第一化合物高的HOMO能級(jí)和比所述第一化合物的表面能小的表面能。
所述第一化合物可包括導(dǎo)電聚合物，和所述第二化合物可包括絕緣聚合物。
在所述空穴注入層的第二表面處的所述第二化合物對(duì)所述第一化合物的重量比率可大于在所述空穴注入層的第一表面處的所述第二化合物對(duì)所述第一化合物的重量比率。
所述第二化合物對(duì)所述第一化合物的重量比率可從所述空穴注入層的第一表面至所述空穴注入層的第二表面逐漸升高。
所述第二化合物可以比所述第一化合物大的量存在。
所述第一化合物對(duì)所述第二化合物的重量比率可為約1:1.1-約1:10。
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