[發(fā)明專利]量子點(diǎn)器件和電子設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811207676.2
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN109817772A
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐弘圭;張銀珠;丁大榮;金泰豪;李相陳
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/14;H01L33/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王華芹;金擬粲

1.量子點(diǎn)器件，其包括

陽極，

在所述陽極上的空穴注入層，

在所述空穴注入層上的空穴傳輸層，

在所述空穴傳輸層上的量子點(diǎn)層，和

在所述量子點(diǎn)層上的陰極，

其中所述量子點(diǎn)層的最高占據(jù)分子軌道能級大于或等于5.6電子伏，

所述空穴傳輸層的最高占據(jù)分子軌道能級與所述量子點(diǎn)層的最高占據(jù)分子軌道能級之間的差值小于0.5電子伏，

所述空穴注入層具有接觸所述陽極的第一表面和接觸所述空穴傳輸層的第二表面，和

所述空穴注入層的第一表面的最高占據(jù)分子軌道能級不同于所述空穴注入層的第二表面的最高占據(jù)分子軌道能級。

2.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)器件，其中所述空穴注入層的第二表面的最高占據(jù)分子軌道能級大于所述空穴注入層的第一表面的最高占據(jù)分子軌道能級。

3.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)器件，其中所述空穴注入層的第二表面的最高占據(jù)分子軌道能級與所述空穴傳輸層的最高占據(jù)分子軌道能級之間的差值小于0.5電子伏。

4.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)器件，其中所述空穴傳輸層的最高占據(jù)分子軌道能級大于或等于5.4電子伏。

5.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)器件，其中所述空穴傳輸層的最高占據(jù)分子軌道能級為5.6電子伏-7電子伏。

6.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)器件，其中所述空穴注入層的第一表面的最高占據(jù)分子軌道能級為5.0電子伏-5.5電子伏，和

所述空穴注入層的第二表面的最高占據(jù)分子軌道能級大于5.5電子伏且小于或等于7電子伏。

7.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)器件，其中所述空穴注入層包括第一化合物和第二化合物，所述第二化合物具有比所述第一化合物高的最高占據(jù)分子軌道能級和比所述第一化合物的表面能小的表面能。

8.如權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)器件，其中

所述第一化合物包括導(dǎo)電聚合物，和

所述第二化合物包括絕緣聚合物。

9.如權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)器件，其中在所述空穴注入層的第二表面處的所述第二化合物對所述第一化合物的重量比率大于在所述空穴注入層的第一表面處的所述第二化合物對所述第一化合物的重量比率。

10.如權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)器件，其中所述第二化合物對所述第一化合物的重量比率從所述空穴注入層的第一表面至所述空穴注入層的第二表面逐漸升高。

11.如權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)器件，其中所述第一化合物包括聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚(對-亞苯基)、聚芴、聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)、其衍生物、或它們的組合。

12.如權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)器件，其中所述第二化合物包括含氟聚合物。

13.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)器件，其中所述量子點(diǎn)層的最高占據(jù)分子軌道能級為5.6電子伏-7電子伏。

14.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)器件，其中所述量子點(diǎn)層包括無鎘量子點(diǎn)。

15.如權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)器件，其中所述量子點(diǎn)層包括具有芯-殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)。

16.如權(quán)利要求15所述的量子點(diǎn)器件，其中所述量子點(diǎn)包括包含鋅、碲、和硒的芯以及在所述芯的至少一部分上的殼，所述殼具有與所述芯的組成不同的組成。

17.如權(quán)利要求16所述的量子點(diǎn)器件，其中所述殼包括ZnSeS、ZnS、或它們的組合。