[發(fā)明專(zhuān)利]形成圖像傳感器的方法及圖像傳感器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811205424.6
• 申請(qǐng)日: 2018-10-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109326621B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱鵬;王永耀
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 田菁

1.一種形成圖像傳感器的方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底中的溝槽中形成覆蓋所述溝槽的壁的摻雜層，所述摻雜層具有P型摻雜劑，并且所述摻雜層中的P型摻雜劑的濃度高于所述溝槽周?chē)乃霭雽?dǎo)體襯底的部分中的P型摻雜劑的濃度；

在所述半導(dǎo)體襯底之上形成導(dǎo)熱層，所述導(dǎo)熱層包括位于所述溝槽中并覆蓋所述摻雜層的第一部分；以及

從所述半導(dǎo)體襯底的上方對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行加熱處理，其中所述導(dǎo)熱層通過(guò)所述第一部分將熱量傳導(dǎo)到所述摻雜層，從而促使所述摻雜層中的所述P型摻雜劑向所述半導(dǎo)體襯底中擴(kuò)散，進(jìn)而在所述半導(dǎo)體襯底中的所述溝槽的壁處形成P型擴(kuò)散區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)熱層還包括位于所述半導(dǎo)體襯底之上并覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的上表面的第二部分，其中所述第一部分和所述第二部分相連續(xù)，

其中從所述半導(dǎo)體襯底的上方對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行加熱處理包括從所述半導(dǎo)體襯底的上方對(duì)所述導(dǎo)熱層的所述第二部分進(jìn)行加熱處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)熱層包括金屬鎢。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在形成所述摻雜層之后、形成所述導(dǎo)熱層之前，在所述溝槽中形成覆蓋所述摻雜層的粘附層，

其中，所述導(dǎo)熱層覆蓋所述粘附層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述加熱處理使得所述摻雜層的溫度不低于700℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述加熱處理包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：快速熱處理浸入式退火、快速熱處理尖峰退火、激光退火、以及微波退火。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有P型摻雜劑的電介質(zhì)材料包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：硼硅玻璃、以及氧化硼。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過(guò)原子層沉積處理或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積處理來(lái)形成所述摻雜層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述摻雜層的厚度小于50埃米。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在形成所述摻雜層之前，在所述溝槽中形成覆蓋所述溝槽的壁的第一氧化物層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述擴(kuò)散區(qū)形成之后，去除所述導(dǎo)熱層和所述摻雜層；以及

在所述溝槽中形成覆蓋所述溝槽的壁的高介電常數(shù)層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述導(dǎo)熱層和所述摻雜層通過(guò)濕法刻蝕處理來(lái)進(jìn)行。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在去除所述導(dǎo)熱層和所述摻雜層之后、形成所述高介電常數(shù)層之前，在所述溝槽中形成覆蓋所述溝槽的壁的第二氧化物層，

其中，所述高介電常數(shù)層覆蓋所述第二氧化物層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，形成所述第二氧化物層是至少通過(guò)低溫原子層沉積處理進(jìn)行的。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述第二氧化物層的厚度不大于50埃米。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

形成所述高介電常數(shù)層之后，在所述溝槽中形成覆蓋所述高介電常數(shù)層的低透光層。