[發明專利]形成圖像傳感器的方法及圖像傳感器

有效

• 申請號: 201811205424.6
• 申請日: 2018-10-17
• 公開（公告）號: CN109326621B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 朱鵬;王永耀
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 田菁

本公開涉及一種形成圖像傳感器的方法，包括：在溝槽中形成覆蓋所述溝槽的壁的摻雜層，所述摻雜層具有P型摻雜劑，并且所述摻雜層中的P型摻雜劑的濃度高于所述溝槽周圍的所述半導體襯底的部分中的P型摻雜劑的濃度；在所述半導體襯底之上形成導熱層，所述導熱層包括位于所述溝槽中并覆蓋所述摻雜層的第一部分；以及從所述半導體襯底的上方對所述半導體襯底進行加熱處理，其中所述導熱層通過所述第一部分將熱量傳導到所述摻雜層，從而促使所述摻雜層中的所述P型摻雜劑向所述半導體襯底中擴散，進而在所述半導體襯底中的所述溝槽的壁處形成P型擴散區。本公開還涉及一種圖像傳感器。本公開能夠改進圖像傳感器的暗電流。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，具體來說，涉及一種形成圖像傳感器的方法及圖像傳感器。

背景技術

CMOS圖像傳感器中通常會形成溝槽隔離結構(包括深溝槽隔離(DTI)結構和淺溝槽隔離(STI)結構等)。

因此，存在對新技術的需求。

發明內容

本公開的目的之一是提供一種新的形成圖像傳感器的方法及圖像傳感器。

根據本公開的第一方面，提供了一種形成圖像傳感器的方法，包括：在半導體襯底中的溝槽中形成覆蓋所述溝槽的壁的摻雜層，所述摻雜層具有P型摻雜劑，并且所述摻雜層中的P型摻雜劑的濃度高于所述溝槽周圍的所述半導體襯底的部分中的P型摻雜劑的濃度；在所述半導體襯底之上形成導熱層，所述導熱層包括位于所述溝槽中并覆蓋所述摻雜層的第一部分；以及從所述半導體襯底的上方對所述半導體襯底進行加熱處理，其中所述導熱層通過所述第一部分將熱量傳導到所述摻雜層，從而促使所述摻雜層中的所述P型摻雜劑向所述半導體襯底中擴散，進而在所述半導體襯底中的所述溝槽的壁處形成P型擴散區。

根據本公開的第二方面，提供了一種圖像傳感器，包括：溝槽隔離結構，所述溝槽隔離結構形成在半導體襯底中；以及擴散區，所述擴散區位于所述半導體襯底中的所述溝槽隔離結構的周圍并且所述溝槽隔離結構覆蓋所述擴散區，其中，所述擴散區具有P型摻雜劑，并且所述擴散區中的P型摻雜劑的濃度高于位于所述擴散區周圍的所述半導體襯底的部分中的P型摻雜劑的濃度，其中，所述溝槽隔離結構包括：高介電常數層，所述高介電常數層位于所述溝槽隔離結構的外層部分并覆蓋所述半導體襯底；以及低透光層，所述低透光層位于所述溝槽隔離結構的內層部分并覆蓋所述高介電常數層。

通過以下參照附圖對本公開的示例性實施例的詳細描述，本公開的其它特征及其優點將會變得清楚。

附圖說明

構成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實施例，并且連同說明書一起用于解釋本公開的原理。

參照附圖，根據下面的詳細描述，可以更加清楚地理解本公開，其中：

圖1A至1D是分別示意性地示出了在根據本公開一個或多個示例性實施例來形成圖像傳感器的方法示例的一些步驟處的圖像傳感器的截面的示意圖。

圖2是示意性地示出根據本公開一個或多個示例性實施例在圖1C所示的步驟處的操作的示意圖。

圖3A和3D是分別示意性地示出了在根據本公開一個或多個示例性實施例來形成圖像傳感器的方法示例的一些步驟處的圖像傳感器的截面的示意圖。

圖4A和4D是分別示意性地示出了在根據本公開一個或多個示例性實施例來形成圖像傳感器的方法示例的一些步驟處的圖像傳感器的截面的示意圖。

注意，在以下說明的實施方式中，有時在不同的附圖之間共同使用同一附圖標記來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重復說明。在一些情況中，使用相似的標號和字母表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。