[發明專利]一種低電壓下使輸出級MOS管導通的方法在審
| 申請號： | 201811201289.8 | 申請日： | 2018-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN111064457A | 公開（公告）日： | 2020-04-24 |
| 發明（設計）人： | 王歡 | 申請（專利權）人： | 圣邦微電子（北京）股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/687 | 分類號： | H03K17/687;G01R19/165 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉誠知識產權代理有限公司 11129 | 代理人： | 吳小燦 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 壓下 輸出 mos 管導通 方法 | ||
1.一種低電壓下使輸出級MOS管導通的方法，其特征在于，針對電源監控芯片中的輸出級模塊，通過對所述輸出級模塊的襯底節點進行襯底電壓調節以形成MOS管背柵效應，使得所述輸出級模塊中的輸出級MOS管的第一閾值電壓降低至第二閾值電壓，所述第一閾值電壓指所述輸出級MOS管的襯底電壓沒有被調節時的閾值電壓，所述低電壓指電源電壓小于輸出級MOS管的第一閾值電壓，所述第二閾值電壓低于所述低電壓，從而在低電壓下使輸出級MOS管導通。
2.根據權利要求1所述的低電壓下使輸出級MOS管導通的方法，其特征在于，所述輸出級模塊包括輸出端和柵極節點，所述柵極節點連接柵極控制模塊，所述輸出級模塊的襯底節點連接襯底電壓控制模塊。
3.根據權利要求2所述的低電壓下使輸出級MOS管導通的方法，其特征在于，所述襯底電壓控制模塊包括第二電阻和第三電阻，所述第二電阻的一端連接電源端，所述第二電阻的另一端連接所述第三電阻的一端，所述第三電阻的另一端連接所述輸出級MOS管的源極，所述第二電阻和第三電阻之間為襯底電壓節點，所述襯底電壓節點分別連接所述輸出級模塊的襯底節點和第三MOS管的漏極，所述第三MOS管的柵極連接襯底電壓控制電路，所述第三MOS管的源極連接所述輸出級MOS管的源極。
4.根據權利要求2所述的低電壓下使輸出級MOS管導通的方法，其特征在于，所述柵極控制模塊包括第一電阻，所述第一電阻的一端連接電源端，所述第一電阻的另一端分別連接所述輸出級模塊的柵極節點和第二MOS管的漏極，所述第二MOS管的源極連接所述輸出級MOS管的源極，所述第二MOS管的柵極連接輸出控制電路。
5.根據權利要求1所述的低電壓下使輸出級MOS管導通的方法，其特征在于，所述輸出級MOS管采用NMOS管或PMOS管。
6.根據權利要求1所述的低電壓下使輸出級MOS管導通的方法，其特征在于，所述輸出級模塊包括推挽輸出電路，所述推挽輸出電路連接所述輸出級模塊的輸出端。
7.根據權利要求6所述的低電壓下使輸出級MOS管導通的方法，其特征在于，所述推挽輸出電路包括第四PMOS管和所述輸出級MOS管，所述輸出級MOS管的源極連接接地端，所述輸出級MOS管的柵極連接和所述第四PMOS管的柵極均連接柵極控制模塊，所述輸出級MOS管的漏極和第四PMOS管的漏極均連接所述輸出級模塊的輸出端，所述第四PMOS管的源極連接電源端，所述輸出級MOS管的襯底和所述第四PMOS管的襯底分別連接襯底電壓控制電路。
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