[發明專利]晶圓擺放方式的派工選擇系統及晶圓的擺放方法

有效

• 申請號: 201811197872.6
• 申請日: 2018-10-15
• 公開（公告）號: CN109207967B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 林敏偉;張凌越;姜波
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

本發明公開了一種晶圓在晶舟上擺放方式的派工選擇系統及擺放方法，在化學氣相沉積工藝的其它條件一定的情況下，晶圓表面沉積薄膜的厚度與其對應的光罩透光率呈線性負相關，并結合反應爐的通氣情況，先統計分析同一批次晶圓對應的光罩透光率范圍，再針對每個晶圓，根據晶圓對應的光罩透光率在光罩透光率范圍中的位置確定晶圓在晶舟上的擺放位置：對于光罩透光率高的晶圓，選擇晶圓從晶舟下端開始擺放的子方式；對于光罩透光率低的晶圓，選擇晶圓從晶舟上端開始擺放的子方式。如此，能最大限度度地對化學氣相沉積工藝中同一批次晶圓的表面沉積薄膜的厚度進行補償調節，使得化學氣相沉積工藝中同一批次的多個晶圓的表面沉積薄膜的厚度一致。

技術領域

本發明涉及超大規模集成電路制造技術領域，尤其是涉及一種化學氣相沉積工藝中晶圓擺放方式的派工選擇系統及晶圓的擺放方法。

背景技術

化學氣相沉積工藝(CVD)，特別是低壓化學氣相沉積工藝(LPCVD)廣泛應用于超大規模集成電路制造技術中晶圓的Si3N4及SiO2薄膜的制備，低壓化學氣相沉積工藝具有沉積溫度低、薄膜成分和厚度易控、薄膜厚度與沉積時間呈正比、均勻性與重復性好、臺階覆蓋能力好及操作方便等優點。

低壓化學氣相沉積工藝是指在設定時間內將固定量的特殊反應氣體從反應腔的底部通入反應爐內，在反應爐內晶舟上的全部晶圓的表面同時沉積薄膜，所使用的反應爐屬于批處理工藝，一次最多可將一百片或一百五十片晶圓放在反應爐中垂直的晶舟上，同時反應沉積薄膜。而屬于同一批次的不同產品晶圓的表面圖形不同，使得晶圓的實際表面積不同，沉積薄膜的厚度也隨之變化，對每個晶圓而言，特殊反應氣體的總量一定，表面積越大，其表面的沉積薄膜就越薄，這會造成化學氣相沉積工藝中同一批次的多個晶圓的表面沉積薄膜的厚度不一致。

發明內容

本發明的目的在于提供一種晶圓在晶舟上的擺放方法，以解決化學氣相沉積工藝中的同一批次的多個表面積不同的晶圓的表面沉積薄膜厚度不一致的問題。

為了達到上述目的，本發明提供了一種晶圓擺放方式的派工選擇系統，用于化學氣相沉積工藝中晶圓在晶舟上的擺放方式的派工選擇，包括：

采集模塊，從數據庫中采集所述晶圓對應光罩的透光率信息；

處理模塊，根據所述光罩的透光率信息，并結合所述晶舟的結構，分析判斷所述晶圓的擺放方式；

輸出模塊，對外輸出所述晶圓的擺放方式。

可選的，所述處理模塊從所述數據庫中采集得到所有所述晶圓對應光罩的透光率信息，統計得到光罩的透光率范圍，對所述光罩的透光率范圍進行劃分，并對不同范圍的光罩透光率相對應的晶圓分別建立其在所述晶舟上的擺放方式的子方式。

可選的，所述處理模塊將所述光罩的透光率范圍劃分為第一區間、第二區間及第三區間共三個區間，所述第二區間對應的光罩透光率大于所述第一區間對應的光罩透光率，且所述第二區間對應的光罩透光率小于所述第三區間對應的光罩透光率。

可選的，在所述化學氣相沉積工藝中，所述晶圓表面沉積薄膜的厚度與所述晶圓對應的光罩透光率呈線性負相關。

可選的，所述第一區間的光罩透光率對應晶圓的擺放方式的子方式為從所述晶舟的上端開始擺放，所述第二區間的光罩透光率對應晶圓的擺放方式的子方式為從所述晶舟的中間開始擺放，所述第三區間的光罩透光率對應晶圓的擺放方式的子方式為從所述晶舟的下端開始擺放。

可選的，所述處理模塊從所述數據庫中采集得到所述晶圓對應光罩的透光率信息，判斷所述晶圓對應的光罩透光率的所屬區間，并選擇所述所屬區間對應的擺放方式的子方式作為所述晶圓的擺放方式。

為了達到上述目的，本發明還提供了一種晶圓的擺放方法，用于化學氣相沉積工藝中同一批晶圓在晶舟上的擺放選擇，所述晶圓的擺放方法包括步驟：