[發明專利]晶圓擺放方式的派工選擇系統及晶圓的擺放方法有效
| 申請號: | 201811197872.6 | 申請日: | 2018-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN109207967B | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發明(設計)人: | 林敏偉;張凌越;姜波 | 申請(專利權)人: | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 擺放 方式 選擇 系統 方法 | ||
1.一種晶圓擺放方式的派工選擇系統,用于化學氣相沉積工藝中晶圓在晶舟上的擺放方式的派工選擇,其特征在于,包括:
采集模塊,從數據庫中采集所述晶圓對應光罩的透光率信息;
處理模塊,根據所述光罩的透光率信息,并結合所述晶舟的結構,分析判斷所述晶圓的擺放方式;
輸出模塊,對外輸出所述晶圓的擺放方式;
根據晶圓對應的光罩透光率在光罩透光率范圍中的位置確定晶圓在晶舟上的擺放位置:對于光罩透光率高的晶圓,選擇晶圓從晶舟下端開始擺放的子方式;對于光罩透光率低的晶圓,選擇晶圓從晶舟上端開始擺放的子方式。
2.如權利要求1所述的晶圓擺放方式的派工選擇系統,其特征在于,所述處理模塊從所述數據庫中采集得到所有所述晶圓對應光罩的透光率信息,統計得到光罩的透光率范圍,對所述光罩的透光率范圍進行劃分,并對不同范圍的光罩透光率相對應的晶圓分別建立其在所述晶舟上的擺放方式的子方式。
3.如權利要求2所述的晶圓擺放方式的派工選擇系統,其特征在于,所述處理模塊將所述光罩的透光率范圍劃分為第一區間、第二區間及第三區間共三個區間,所述第二區間對應的光罩透光率大于所述第一區間對應的光罩透光率,且所述第二區間對應的光罩透光率小于所述第三區間對應的光罩透光率。
4.如權利要求3所述的晶圓擺放方式的派工選擇系統,其特征在于,在所述化學氣相沉積工藝中,所述晶圓表面沉積薄膜的厚度與所述晶圓對應的光罩透光率呈線性負相關。
5.如權利要求3或4所述的晶圓擺放方式的派工選擇系統,其特征在于,所述第一區間的光罩透光率對應晶圓的擺放方式的子方式為從所述晶舟的上端開始擺放,所述第二區間的光罩透光率對應晶圓的擺放方式的子方式為從所述晶舟的中間開始擺放,所述第三區間的光罩透光率對應晶圓的擺放方式的子方式為從所述晶舟的下端開始擺放。
6.如權利要求5所述的晶圓擺放方式的派工選擇系統,其特征在于,所述處理模塊從所述數據庫中采集得到所述晶圓對應光罩的透光率信息,判斷所述晶圓對應的光罩透光率的所屬區間,并選擇所述所屬區間對應的擺放方式的子方式作為所述晶圓的擺放方式。
7.一種晶圓的擺放方法,用于化學氣相沉積工藝中同一批晶圓在晶舟上的擺放選擇,其特征在于,所述晶圓的擺放方法包括步驟:
采集同一批所述晶圓對應光罩的透光率信息,統計得到光罩的透光率范圍;以及
針對每個所述晶圓,確定所述晶圓對應光罩的透光率在所述光罩的透光率范圍中的位置,并由此確定所述晶圓在所述晶舟上的擺放位置;
對于光罩透光率高的晶圓,選擇晶圓從晶舟下端開始擺放的子方式;對于光罩透光率低的晶圓,選擇晶圓從晶舟上端開始擺放的子方式。
8.如權利要求7所述的晶圓的擺放方法,其特征在于,在所述化學氣相沉積工藝中,所述晶圓表面沉積薄膜的厚度與所述晶圓對應的光罩透光率呈線性負相關。
9.如權利要求8所述的晶圓的擺放方法,其特征在于,所述針對每個所述晶圓,確定所述晶圓對應光罩的透光率在所述光罩的透光率范圍中的位置,并由此確定所述晶圓在所述晶舟上的擺放位置的步驟包括:
由所述光罩的透光率范圍確定光罩透光率的最大值與最小值,對所述光罩透光率的最大值與最小值取平均值,得到光罩透光率的中值;
比較所述晶圓對應光罩的透光率與所述光罩透光率的中值,若所述晶圓對應光罩的透光率小于所述光罩透光率的中值,則所述晶圓擺放在所述晶舟的上端;若所述晶圓對應光罩的透光率等于所述光罩透光率的中值,則所述晶圓擺放在所述晶舟的中部;若所述晶圓對應光罩的透光率大于所述光罩透光率的中值,則所述晶圓擺放在所述晶舟的下端。
10.如權利要求9所述的晶圓的擺放方法,其特征在于,所述晶圓的擺放方法還包括:
對所述光罩透光率的最小值與光罩透光率的中值取平均值,得到第一參考值;對所述光罩透光率的最大值與光罩透光率的中值取平均值,得到第二參考值;
若所述晶圓對應光罩的透光率小于所述光罩透光率的中值,則比較所述晶圓對應光罩的透光率與所述第一參考值的大小,若所述晶圓對應光罩的透光率小于所述第一參考值,則所述晶圓擺放在所述晶舟的上端且靠近所述晶舟的頂部;若所述晶圓對應光罩的透光率等于所述第一參考值,則所述晶圓擺放在所述晶舟的上端的中部區域;若所述晶圓對應光罩的透光率大于所述第一參考值,則所述晶圓擺放在所述晶舟的上端且靠近所述晶舟的中部;
若所述晶圓對應光罩的透光率大于所述光罩透光率的中值,則比較所述晶圓對應光罩的透光率與所述第二參考值的大小,若所述晶圓對應光罩的透光率小于所述第二參考值,則所述晶圓擺放在所述晶舟的下端且靠近所述晶舟的中部;若所述晶圓對應光罩的透光率等于所述第二參考值,則所述晶圓擺放在所述晶舟的下端的中部區域;若所述晶圓對應光罩的透光率大于所述第二參考值,則所述晶圓擺放在所述晶舟的下端且靠近所述晶舟的底部。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





