[發(fā)明專利]半導體封裝遮蔽膠料及其遮蔽制程

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• 申請日: 2018-10-15
• 公開（公告）號: CN111040719A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設計）人: 李瑞展;謝雅雀
• 申請（專利權）人: 宏凌先進科技有限公司
• 主分類號: C09J175/14
• 分類號: C09J175/14;C09J11/06;C09J5/08;H01L23/29;H01L23/552;H01L21/56
• 代理公司: 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335
• 代理人: 翟國明

本發(fā)明公開了一種半導體封裝遮蔽膠料及其遮蔽制程，遮蔽制程步驟包括：點膠/涂布該半導體封裝遮蔽膠料于半導體封裝的局部表面、光/熱固化該半導體封裝遮蔽膠料、濺鍍金屬層、發(fā)泡剝離該半導體封裝遮蔽膠料等步驟，該半導體封裝遮蔽膠料在濺鍍的溫度不產生發(fā)泡，僅于發(fā)泡步驟時產生發(fā)泡并導致膠料剝離；本發(fā)明利用膠體形式的半導體封裝膠料，完全或高度遮蔽的效果，再搭配發(fā)泡制程以及微球發(fā)泡劑，由于微球發(fā)泡劑發(fā)泡時會迅速膨脹并向外擴張，可以使半導體封裝膠料完全剝離，減少殘膠或溢鍍的問題，有效提升半導體封裝濺鍍遮蔽面的品質。

技術領域

本發(fā)明涉及膠料技術領域，尤其涉及一種應用于半導體封裝電磁防護制程中所使用的遮蔽膠料及其遮蔽制程。

背景技術

半導體封裝完成后，為了避免晶片受到外界無線電射頻干擾(radio frequencyinterference；RFI)或電磁干擾(electromagnetic interference；EMI)，會對該半導體封裝施以電磁防護，電磁防護制程主要是在半導體封裝的周圍以濺鍍法形成一金屬薄膜，達成電磁防護的效果。

前述電磁防護制程在濺鍍金屬薄膜前，會先使用遮蔽材料對半導體封裝底部(即IC載板面，IC Substrate)，無論是有錫球或無錫球，黏著于IC載板面后進行遮蔽，避免金屬薄膜濺鍍到半導體封裝底部(IC載板面)，并在濺鍍完成后，將遮蔽材料剝除。目前遮蔽材料使用的型態(tài)是膠帶，但膠帶容易有遮蔽不完全，且剝除后，容易在底部錫球四周或無錫球面殘膠，影響貼著面(IC載板面)的品質。

發(fā)明內容

為了解決目前遮蔽使用的膠帶遮蔽不完全且容易殘膠，繼而影響半導體封裝品質的問題，本發(fā)明提供一種半導體封裝遮蔽膠料，其包括：

脂肪族聚氨酯丙烯酸酯45～60wt％；

異冰片基丙烯酸酯8～15wt％；

微球發(fā)泡劑9～20wt％；

光起始劑3～10wt％；以及

光固化膠20～25wt％。

其中，該微球發(fā)泡劑為具一核殼結構的球狀塑膠顆粒，該核殼結構包含一外殼與一內核，該外殼為熱塑性丙烯酸樹脂類聚合物，該內核為烷烴類氣體，粒徑介于10～45微米。

其中，該光起始劑的種類包括IRGACURE 184、IRGACURE 2959、IRGACURE 1000、IRGACURE 500、IRGACURE 651、IRGACURE 369、IRGACURE 907、IRGACURE 1300、IRGACURE784、IRGACURE 819、IRGACURE 819DW、IRGACURE 250、IRGACURE2005、IRGACURE 2010、IRGACURE 2020、DAROCUR 1173、DAROCUR BP、DAROCUR MBF、DAROCUR 4265或DAROCUR TPO。

其中，該半導體封裝遮蔽膠料進一步包括一導電添加劑及/或一絕緣添加劑5wt％以下。該導電添加劑包括石墨、碳黑、碳纖維、奈米碳管、銅粉或鎳粉；以及該絕緣添加劑包括氮化硼、碳化硅、氮化鋁、氧化鋁、氧化鎂或氧化鋅。

其中，該光固化膠為乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯類(EOEOEA)及其衍生或類似物。

本發(fā)明進一步提供一種半導體封裝遮蔽膠料的遮蔽制程，其步驟包括：

將一半導體封裝遮蔽膠料點膠或涂覆于一半導體封裝的部分表面；

利用紫外光固化或熱固化該半導體封裝遮蔽膠料形成膠膜；

濺鍍一金屬層于該半導體封裝未覆蓋有該半導體封裝遮蔽膠料的區(qū)域；

加熱使該半導體封裝遮蔽膠料發(fā)泡，使該半導體封裝遮蔽膠料完全剝離于該半導體封裝遮蔽部分的表面；其中：