[發明專利]半導體封裝遮蔽膠料及其遮蔽制程

在審

• 申請號: 201811197194.3
• 申請日: 2018-10-15
• 公開（公告）號: CN111040719A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 李瑞展;謝雅雀
• 申請（專利權）人: 宏凌先進科技有限公司
• 主分類號: C09J175/14
• 分類號: C09J175/14;C09J11/06;C09J5/08;H01L23/29;H01L23/552;H01L21/56
• 代理公司: 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335
• 代理人: 翟國明

1.一種半導體封裝遮蔽膠料，其特征在于，包括：

脂肪族聚氨酯丙烯酸酯45～60wt％；

異冰片基丙烯酸酯8～15wt％；

微球發泡劑9～20wt％；

光起始劑3～10wt％；以及

光固化膠20～25wt％。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝遮蔽膠料，其特征在于，該微球發泡劑為具一核殼結構的球狀塑膠顆粒，該核殼結構包括一外殼與一內核，該外殼為熱塑性丙烯酸樹脂類聚合物，該內核為烷烴類氣體，粒徑介于10～45微米。

3.根據權利要求1或2所述的半導體封裝遮蔽膠料，其特征在于，該光起始劑的種類包括IRGACURE 184、IRGACURE 2959、IRGACURE 1000、IRGACURE 500、IRGACURE 651、IRGACURE369、IRGACURE 907、IRGACURE 1300、IRGACURE 784、IRGACURE 819、IRGACURE 819 DW、IRGACURE 250、IRGACURE2005、IRGACURE 2010、IRGACURE 2020、DAROCUR 1173、DAROCURBP、DAROCUR MBF、DAROCUR 4265或DAROCUR TPO。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝遮蔽膠料，其特征在于，其進一步包括一導電添加劑和/或一絕緣添加劑5wt％以下。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝遮蔽膠料，其特征在于，其中：

該導電添加劑包括石墨、碳黑、碳纖維、奈米碳管、銅粉或鎳粉；以及

該絕緣添加劑包括氮化硼、碳化硅、氮化鋁、氧化鋁、氧化鎂或氧化鋅。

6.根據權利要求1或2所述的半導體封裝遮蔽膠料，其特征在于，該光固化膠為乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯類(EOEOEA)及其衍生或類似物。

7.一種半導體封裝遮蔽膠料的遮蔽制程，其特征在于，其步驟包括：

將一半導體封裝遮蔽膠料點膠或涂覆于一半導體封裝或一模壓后未切割的IC載板的部分表面；

利用紫外光固化或熱固化該半導體封裝遮蔽膠料形成膠膜；

濺鍍一金屬層于該半導體封裝或該模壓后未切割的IC載板未覆蓋有該半導體封裝遮蔽膠料的區域；

加熱使該半導體封裝遮蔽膠料發泡，使該半導體封裝遮蔽膠料完全剝離于該半導體封裝或該模壓后未切割的IC載板遮蔽部分的表面；其中：

該半導體封裝遮蔽膠料包括脂肪族聚氨酯丙烯酸酯、異冰片基丙烯酸酯、微球發泡劑、光起始劑、光固化膠、一導電添加劑和/或一絕緣添加劑；以及該半導體封裝遮蔽膠料濺鍍時不發泡。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝遮蔽膠料的遮蔽制程，其特征在于，其中，該半導體封裝或該模壓后未切割的IC載板的部分表面包括無錫球或具有多個錫球表面。

9.根據權利要求7所述的半導體封裝遮蔽膠料的遮蔽制程，其特征在于，其中，該濺鍍溫度介于75～180℃；以及該發泡溫度高于100℃。

10.根據權利要求7所述的半導體封裝遮蔽膠料的遮蔽制程，其特征在于，該半導體封裝包括IC載板。