[發(fā)明專利]影像傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811196686.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111048535B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 謝丞聿 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 影像 傳感器 | ||
本發(fā)明公開(kāi)一種影像傳感器,包括第一光電二極管,形成于第一基板中。第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)在第一基板中且圍繞第一光電二極管。含有第一電路結(jié)構(gòu)的第一內(nèi)介電層在第一基板上。粘合層在第一內(nèi)介電層及第二內(nèi)介電層上。含有第二電路結(jié)構(gòu)的第二內(nèi)介電層在粘合層上。連接壁設(shè)置在第一內(nèi)介電層、粘合層及第二內(nèi)介電層中,實(shí)體連接第一電路結(jié)構(gòu)及第二電路結(jié)構(gòu)。第二基板設(shè)置在第二內(nèi)介電層上。第二光電二極管形成在第二基板中。第二深溝槽隔離結(jié)構(gòu)在第二基板且圍繞所述第二光電二極管。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件技術(shù),且特別是關(guān)于影像傳感器的技術(shù)。
背景技術(shù)
影像傳感器是取得影像的元件,其配合現(xiàn)代科技的數(shù)據(jù)化的電子產(chǎn)品,在日常生活中有廣大的應(yīng)用。例如在照相機(jī)或是攝影機(jī)的應(yīng)用,可以獲取數(shù)字影像。數(shù)字影像一般是由多個(gè)像素以陣列方式組合成一個(gè)影像。每一個(gè)子像素對(duì)應(yīng)所負(fù)責(zé)的原色,是由一個(gè)子影像感測(cè)元件所制造完成。感測(cè)元件事是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。如一般所知,一個(gè)色彩是至少由三個(gè)原色所組成,因此每一個(gè)完整的像素,一般至少會(huì)包含對(duì)應(yīng)三個(gè)原色。從硬體結(jié)構(gòu)上,會(huì)包含對(duì)應(yīng)三個(gè)顏色感測(cè)元件。
前面是關(guān)于一般可見(jiàn)光的影像。然而對(duì)于影像信息的廣泛需求,其除了能感應(yīng)可見(jiàn)光的影像,也同時(shí)能夠感應(yīng)紅外光的影像。因此在此趨勢(shì)下,影像傳感器的一個(gè)像素需要同時(shí)能夠感應(yīng)可見(jiàn)光以及紅外光。
另外因應(yīng)影像解析度的大幅提高,感應(yīng)像素的尺寸也需要大幅縮小。如此相鄰像素之間容易產(chǎn)生串?dāng)_(crosstalk)的問(wèn)題。又針對(duì)紅外光的感應(yīng),如果紅外光的吸收量不足,也會(huì)有感應(yīng)品質(zhì)不良的問(wèn)題。
設(shè)計(jì)影像傳感器時(shí),在可以同時(shí)感測(cè)可見(jiàn)光與紅外光的需求下,其也需要考慮降低相鄰像素之間的串?dāng)_,也同時(shí)能提升紅外光的感應(yīng)能力。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種影像傳感器,可以同時(shí)感測(cè)可見(jiàn)光與紅外光,可以降低相鄰像素之間的串?dāng)_,也同時(shí)提升紅外光的感應(yīng)能力。
依照一實(shí)施例,本發(fā)明提出一種影像傳感器,包括第一基板。第一光電二極管形成于所述第一基板中,位于像素區(qū)域內(nèi)。第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述第一基板且圍繞所述第一光電二極管。第一內(nèi)介電層設(shè)置在所述第一基板上。第一電路結(jié)構(gòu)形成在所述第一內(nèi)介電層中,由所述第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)向外延伸。粘合層設(shè)置在所述第一內(nèi)介電層上。第二內(nèi)介電層設(shè)置在所述粘合層上。第二電路結(jié)構(gòu)形成在所述第二內(nèi)介電層中,對(duì)準(zhǔn)于所述第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)或是所述第一電路結(jié)構(gòu)。連接壁設(shè)置在所述第一內(nèi)介電層、所述粘合層及所述第二內(nèi)介電層中,實(shí)體連接所述第一電路結(jié)構(gòu)及所述第二電路結(jié)構(gòu)。第二基板設(shè)置在所述第二內(nèi)介電層上。第二光電二極管,設(shè)置在所述第二基板中,對(duì)應(yīng)所述像素區(qū)域。第二深溝槽隔離結(jié)構(gòu)穿過(guò)所述第二基板且圍繞所述第二光電二極管。所述第二深溝槽隔離結(jié)構(gòu)實(shí)體連接到所述第二電路結(jié)構(gòu)。當(dāng)入射光進(jìn)入所述第二光電二極管,所述入射光通過(guò)反射更到達(dá)述第一光電二極管。
依照一實(shí)施例,對(duì)于所述的影像傳感器,所述第一光電二極管是近紅外光光電二極管,所述第二光電二極管是可見(jiàn)光光電二極管。
依照一實(shí)施例,所述的影像傳感器還包括抗反射層在所述第二基板上。色彩濾光層設(shè)置在所述抗反射層上方。透鏡設(shè)置在所述色彩濾光層上,對(duì)應(yīng)所述第二光電二極管接收所述入射光的一部分。
依照一實(shí)施例,對(duì)于所述的影像傳感器,所述色彩濾光層是紅光、綠光及藍(lán)光的其中一個(gè)。
依照一實(shí)施例,對(duì)于所述的影像傳感器,所述連接壁是氮化硅或是金屬。
依照一實(shí)施例,對(duì)于所述的影像傳感器,所述連接壁提供要將所述入射光反射所需要的反射程度。
依照一實(shí)施例,對(duì)于所述的影像傳感器,所述第一基板與所述第二基板的每一個(gè)的厚度大于或等于2.5微米。
依照一實(shí)施例,對(duì)于所述的影像傳感器,所述入射光至少被所述第一電路結(jié)構(gòu)、所述連接壁、所述第二電路結(jié)構(gòu)的反射,產(chǎn)生被分散的多種入射角而進(jìn)入所述第一光電二極管。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





