[發(fā)明專利]影像傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811196686.0
• 申請日: 2018-10-15
• 公開（公告）號: CN111048535B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝丞聿
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種影像傳感器，其特征在于，包括:

第一基板；

第一光電二極管，形成于所述第一基板中，位于像素區(qū)域內(nèi)；

第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)，穿過所述第一基板且圍繞所述第一光電二極管；

第一內(nèi)介電層，設(shè)置在所述第一基板上；

第一電路結(jié)構(gòu)，形成在所述第一內(nèi)介電層中，由所述第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)向外延伸；

粘合層，設(shè)置在所述第一內(nèi)介電層上；

第二內(nèi)介電層，設(shè)置在所述粘合層上；

第二電路結(jié)構(gòu)，形成在所述第二內(nèi)介電層中，對準(zhǔn)于所述第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)或是所述第一電路結(jié)構(gòu)；

連接壁，設(shè)置在所述第一內(nèi)介電層、所述粘合層及所述第二內(nèi)介電層中，實體連接所述第一電路結(jié)構(gòu)及所述第二電路結(jié)構(gòu)；

第二基板，設(shè)置在所述第二內(nèi)介電層上；

第二光電二極管，設(shè)置在所述第二基板中，對應(yīng)所述像素區(qū)域；以及

第二深溝槽隔離結(jié)構(gòu)，穿過所述第二基板且圍繞所述第二光電二極管，其中所述第二深溝槽隔離結(jié)構(gòu)實體連接到所述第二電路結(jié)構(gòu)，

其中當(dāng)入射光進(jìn)入所述第二光電二極管，所述入射光通過反射更到達(dá)所述第一光電二極管，

所述第一光電二極管是近紅外光光電二極管，所述第二光電二極管是可見光光電二極管。

2.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，還包括:

抗反射層，在所述第二基板上；

色彩濾光層，設(shè)置在所述抗反射層上方；以及

透鏡，設(shè)置在所述色彩濾光層上，對應(yīng)所述第二光電二極管接收所述入射光的一部分。

3.如權(quán)利要求2所述的影像傳感器，其特征在于，所述色彩濾光層是對應(yīng)紅光、綠光或藍(lán)光。

4.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，所述連接壁是氮化硅或是金屬。

5.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，所述連接壁提供要將所述入射光反射所需要的反射程度。

6.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，所述第一基板與所述第二基板的每一個的厚度大于或等于2.5微米。

7.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，所述入射光至少被所述第一電路結(jié)構(gòu)、所述連接壁、所述第二電路結(jié)構(gòu)的反射，產(chǎn)生被分散的多種入射角而進(jìn)入所述第一光電二極管。

8.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，還包括:

第一多晶硅層在第一內(nèi)介電層中；以及

第二多晶硅層在第二內(nèi)介電層中。

9.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，所述第一電路結(jié)構(gòu)包含第一金屬壁接觸連接到所述第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)，以及第二電路結(jié)構(gòu)包含第二金屬壁接觸連接到所述第二深溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，所述第一深溝槽隔離結(jié)構(gòu)、所述第一電路結(jié)構(gòu)、所述連接壁、所述第二電路結(jié)構(gòu)及所述第二深溝槽隔離結(jié)構(gòu)組成似管狀結(jié)構(gòu)，在所述入射光中所攜帶的紅外光被所述似管狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)引而到達(dá)所述第一光電二極管。

11.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，所述入射光包含可見光影像光與紅外線影像光。