[發明專利]形成半導體封裝的方法在審
| 申請號： | 201811196286.X | 申請日： | 2018-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN110323179A | 公開（公告）日： | 2019-10-11 |
| 發明（設計）人： | 胡毓祥;余振華;郭宏瑞 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 介電層 集成電路管芯 半導體封裝 模塑化合物 開口 管芯連接 晶種層 沉積 延伸穿過 導通孔 平坦化 圖案化 穿孔 包封 鍍覆 穿過 暴露 | ||
【權利要求書】：
1.一種形成半導體封裝的方法，其特征在于，包括：
將集成電路管芯及穿孔包封在模塑化合物中，所述集成電路管芯具有管芯連接件；
將第一介電層沉積在所述模塑化合物之上；
圖案化出第一開口，所述第一開口穿過所述第一介電層且暴露出所述集成電路管芯的所述管芯連接件；
將所述第一介電層平坦化；
將第一晶種層沉積在所述第一介電層之上及所述第一開口中；以及
在所述第一晶種層上鍍覆延伸穿過所述第一介電層的第一導通孔。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
