[發明專利]基板支撐部件及包括該基板支撐部件的基板處理裝置

有效

• 申請號: 201811195803.1
• 申請日: 2018-10-15
• 公開（公告）號: CN109686680B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 李相起
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722
• 代理人: 金丹;李強

本發明提供一種基板支撐部件及基板處理方法。根據本發明的一個實施例的基板支撐部件包括：氣體流路，向所述基板背面供給氣體，所述氣體流路設置有氣體流動限制部件，所述氣體流動限制部件在所述氣體流路中沿氣體流動方向對氣體流動進行不同流量的限制。根據本發明，因具有沿氣體流動方向不同程度限制氣體流動的氣體流動限制部件，能夠預防導熱氣體流路中產生電弧，并且最小化導熱氣體排氣所需要的時間。

技術領域

本發明涉及一種具有導熱氣體流路的基板支撐部件及包括該基板支撐部件的基板處理裝置。

背景技術

為了制造半導體元件或顯示器，在對基板進行處理時，需要將基板均勻地維持在規定的溫度狀態。為此，支撐基板的基板支撐部件需要具有加熱器或制冷劑流路等溫度調節單元。并且，為了實現溫度調節單元和基板之間順暢的導熱，基板支撐部件一般具有導熱氣體流路，以向基板的背面供給氦氣(He)等導熱氣體。

對基板進行處理時，利用靜電力等作用，在將基板固定在基板支撐部件上的狀態下，向基板背面供給導熱氣體，在控溫狀態下完成基板處理。基板處理結束后，為了防止因基板背面和基板支撐部件之間殘余的導熱氣體的壓力而導致基板彈起，在導熱氣體流路進行導熱氣體排氣后，從基板支撐部件分離基板。

另外，在處理基板時使用等離子的基板處理裝置的情況下，為了生成等離子而施加的高頻電力可能會在基板支撐部件的導熱氣體流路內形成不必要的電弧。為了防止形成這種電弧而提出的方法有，減少氣體流路的直徑、或在氣體流路內放置多孔性部件等最小化可能生成電弧的空間的方法。

但上述方法最終會導致氣體流路的傳導性(Conductance)下降，從而使基板處理工序結束后殘余導熱氣體排氣所需時間延長，導致生產效率降低。

發明內容

本發明的目的在于提供一種基板支撐部件及包括該基板支撐部件的基板處理裝置，防止向基板背面供給導熱氣體的導熱氣體流路內產生電弧，并且最小化導熱氣體排氣所需要的時間。

為達成上述目的，本發明一實施例所述用于支撐基板的基板支撐部件包括：氣體流路，向所述基板背面供給氣體，所述氣體流路設置有氣體流動限制部件，所述氣體流動限制部件在所述氣體流路中沿氣體流動方向對氣體流動進行不同流量的限制。

所述氣體流動限制部件設置為，經過所述氣體流路排氣時的氣體流動比經過所述氣體流路供給氣體時的氣體流動順暢。所述氣體流動限制部件可移動地設置于所述氣體流路中。

此時，所述氣體流動限制部件的移動可通過氣體的流動實現。所述氣體流動限制部件沿所述氣體流動方向在所述氣體流路中移動。

所述氣體流路包括：收容部，可收容所述氣體流動限制部件；以及上部流路和下部流路，所述上部流路以所述收容部為中心，位于所述收容部的上方，所述下部流路以所述收容部為中心，位于所述收容部的下方，所述收容部通過上部開口與所述上部流路相連通，通過下部開口與所述下部流路相連通，所述氣體流動限制部件無法通過所述上部開口及下部開口。

所述氣體流動限制部件在收容部內進行上升或下降，來堵截所述上部開口或下部開口，所述氣體流動限制部件堵截所述下部開口時的氣體流動不受限的非堵截區域比所述氣體流動限制部件在堵截所述上部開口時的氣體流動不受限的非堵截區域大，這是因為所述上部開口和所述下部開口的形狀或大小有區別。

或者，所述氣體流動限制部件的形狀不同，使得所述氣體流動限制部件堵截所述下部開口時的非堵截區域比所述氣體流動限制部件堵截所述上部開口時的非堵截區域大。其中，所述氣體流動限制部件的上部和下部的形狀不對稱。